Search - 说明书库

ADVANCED POWER TECHNOLOGY EUROPE APT10057WVR 1000V 17.3A 0.570Ω 数据手册

该文件介绍了G D S产品的特点和特性，包括漏-源击穿电压、漏-源开态电阻、零栅压漏电流等。

该数据表是APT10078数据手册的部分内容，主要提供该产品的静态电气特性、最大额定值等信息。

本数据表主要提供APT10078的数据，包括额定值、最大值、最小值、测试条件等。

本文件为APT10086数据手册，介绍了该产品的静态电气特性、最大额定值、可重复非重复浪涌电流、重复浪涌能量和单脉冲浪涌能量等信息。

APT10086BVFR是安森美生产的一款高压N通道增强型功率MOSFET，具有低压降、快速恢复体二极管、100%雪崩测试等特点。

1

Power MOS V®是一种新一代的高压N-沟道增强型功率MOSFET。这种新技术最大限度地减小了JFET效应，增加了封装密度，并降低了导通电阻。Power MOS V®还通过优化的栅极布局实现了更快的开关速度。

APT10088HVR 是一款 N 通道增强型功率 MOSFET，具有 1000V 的击穿电压和 11A 的最大连续电流。该产品采用 Power MOS V 技术，可最大限度地减少 JFET 效应、提高封装密度并降低导通电阻。

该文件介绍了一个产品的特性和测试条件，包括漏极-源极击穿电压、导通状态漏极电流、漏极-源极导通电阻、零栅极电流等。

该文件介绍了一款产品的特点和特性，包括漏源击穿电压、开启状态漏源电流、漏源开通电阻、零门压漏源电流、门源漏电流等。

1

本文件是关于APT100GF60JR IGBT的技术参数,包括额定参数、最大参数、静态电气参数等

APT100GF60JRD 600V 140A 是 G E E C 公司的 Fast IGBT™ 系列产品，采用非穿通技术，具有低压降、高频切换、低尾电流、超低漏电流、 RBSOA 和 SCSOA 等特性

APT100GF60JU3是APT公司生产的一款NPT IGBT器件，其最大集电极-发射极击穿电压为600V，连续集电极电流为100A，最大功率耗散为416W。

Alt15K/WD使用手册是Alt15K/WD测高仪的使用手册，介绍了测高仪的功能特性及使用方法。

这份文件介绍了IS10 Spa-Side Remote (For IntelliTouch and CP3800 series systems) 的安装指南。

该文件介绍了Rev. B 10-9-07 1 P/N 520326温度传感器的应用和替代品。该传感器可用于IntelliTouch®、EasyTouch®和SunTouch™系统的水、空气或太阳能传感器。替代套件包括10K温度传感器和O型密封圈。

该文件介绍了X-10发射器和接收器的安装、操作和安全使用说明。

1

本文档是关于CP-1000游泳池或水疗控制系统的重要安全说明。其中包括使用游泳池或水疗时应遵循的基本安全措施，以及使用热水浸泡可能引起的高温症状和效应。还提到了使用酒精、药物或药物可能增加致命高温症的风险。此外，提供了适宜的水温范围和特别建议孕妇限制水温的信息。