ON Semiconductor MJW18020 数据手册 MJW18020是一款平面高压功率晶体管，专为电机控制应用、高功率电源和UPS设计，其直流和开关参数的高可重复性最小化了桥接配置中的死区时间。主要特点包括：高和优异的增益线性度、快速和非常紧密的开关时间参数tsi和tfi、由平面结构引起的非常稳定的漏电流、高可靠性。
ON Semiconductor MJW21193 (PNP) MJW21194 (NPN) 数据手册 MJW21193和MJW21194采用了穿孔发射极技术，专为高功率音频输出、磁盘磁头位置器和线性应用而设计。具有低谐波失真、高直流电流增益、优秀的增益线性和高SOA特性。
ON Semiconductor MJW21195 (PNP) MJW21196 (NPN) 数据手册 MJW21195/D是onsemi的一款优先产品，它采用了穿孔发射器技术，专门设计用于高功率音频输出、磁头定位器和线性应用。MJW21195/D具有以下特点：总谐波失真特性、高直流电流增益-hFE=20 Min@IC=8 Adc、优异的增益线性度、高SOA：2.25 A，80 V，1秒。
DIODES BC807-16/ -25/ -40 PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR 数据手册 BC807-16/-25/-40是一种PNP表面贴装晶体管，适用于自动插入、开关、AF驱动和放大器应用。它具有理想的插入特性和结构，采用外延平面晶片结构。BC807-16/-25/-40有三种型号，分别是BC807-16、BC807-25和BC807-40。
DIODES BC807-16/ -25/ -40 PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR 数据手册(1) BC807-16/ -25/ -40 PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR 是一种理想的用于自动插入的 PNP 表面贴装晶体管，具有平面层叠晶片结构，可用于开关、AF 驱动器和放大器应用。该晶体管具有可补充的 NPN 型号（BC817），符合 RoHS 标准，符合 AEC-Q101 标准，具有高可靠性。
PNP BC 807W / BC 808W General Purpose Transistors 数据手册(1) 该文件介绍了BC 807W / BC 808W型号的通用PNP表面贴装晶体管的特点和特性，包括安装方式、电气参数、尺寸、包装形式等。
BC807-16LT1, BC807-25LT1, BC807-40LT1 General Purpose Transistors 数据手册 该数据表提供了BC807-16LT1的最大额定值、热特性、器件标记、电气特性等信息。
NPN BC 817 / BC 818 General Purpose Transistors 数据手册 BC 817 / BC 818 是德国西门子公司生产的通用用途三极管，集电极极电流为 800 mA，发射极极电流为 200 mA，其特点是功耗小，功率损耗为 310 mW，封装类型为 SOT-23 塑料外壳。
ZETEX BC817 说明书 该文档介绍了SOT23封装的NPN硅平面中功率晶体管的规格和特性。该晶体管具有多种型号，如BC81716、BC81725和BC81740，是其互补型号BC807的一部分。它们具有较高的最大工作温度和电流承载能力，适用于各种电路应用。
MCC BC817-16 THRU BC817-40 数据手册 BC817-16是MCC的NPN小信号晶体管，具有最高45V的集电极-发射极电压、5V的发射极-基极电压、800mA的集电极电流、1000mA的峰值集电极电流、1000mA的峰值发射极电流和310mW的功耗。
General Purpose Transistors NPN Silicon BC817-16LT1 BC817-25LT1 BC817-40LT1 数据手册 本文件为BC817-16LT1的数据手册，主要介绍了该产品的最大额定值、热特性、电气特性等信息。
LRC General Purpose Transistors NPN Silicon BC817-16LT1 BC817-25LT1 BC817-40LT1 数据手册 该数据表格提供了BC817-16LT1、BC817-25LT1和BC817-40LT1这三款产品的最大额定值、热特性、电气特性等信息
BC817-16LT1, BC817-25LT1, BC817-40LT1 General Purpose Transistors NPN Silicon 数据手册 BC817-16LT/D BC817-25LT1, BC817-40LT1是NPN硅通用晶体管，具有Pb-Free封装。该文件提供了该晶体管的最大额定值、热特性、封装尺寸、引脚排列和订购信息
Infineon BC817W/BC818W 说明书 BC817W, BC818W是NPN硅中频晶体管，适用于一般的中频应用，具有高收集器电流、高电流增益、低集电极-发射极饱和电压等特点。与其互补型号为BC807W、BC808W（PNP）。
BC817W/BC818W General Purpose Transistors 数据手册 BC 817W / BC 818W 是 NPN 表面贴装 Si-Epitaxial PlanarTransistors，其最大功耗为 225 mW，封装为 SOT-323。
BC817-16LT1, BC817-25LT1, BC817-40LT1 General Purpose Transistors NPN Silicon 数据手册(1) 该文档介绍了Motorola的小信号晶体管、场效应管和二极管的最大额定值、热特性和电气特性。
PHILIPS BC817DPN NPN/PNP general purpose transistor 数据手册 BC817DPN是NPN/PNP通用晶体管，具有高电流（500mA）和600mW的总功耗，可替代两个SOT23封装晶体管在同一PCB区域使用。
PHILIPS BC817DS NPN general purpose double transistor 数据手册 该文件介绍了BC817DS型号的NPN晶体管的特点和特性，包括高电流、总功耗、适用于通用开关和放大、推挽放大器以及多相步进电机驱动器等应用。
