飞利浦 BFG11; BFG11/X 数据手册 该数据表提供Philips Semiconductors BFG11; BFG11/X NPN 2 GHz RF power transistor的详细信息，包括产品特点、应用场景、引脚定义、性能参数等。
飞利浦 BFG11W/X 数据手册 BFG11W/X是一款由飞利浦公司生产的NPN 2GHz功率晶体管，具有高功率增益、高效率、小尺寸等特点，主要应用于1.9GHz频段的常用射频场景，如DECT、PHS等。
飞利浦 BFG11W/X 数据手册(1) 该文件介绍了BFG11W/X型号的NPN 2 GHz功率晶体管的特点和特性，包括高功率增益、高效率、小尺寸离散功率放大器等。适用于1.9 GHz频段的共射类AB操作的手持无线电设备，如DECT、PHS，以及DCS 1800的驱动器。
飞利浦 BFG11; BFG11/X 数据手册(1) 该文件介绍了飞利浦半导体的BFG11和BFG11/X型号的特点和特性，包括高功率增益、高效率、小尺寸离散功率放大器等。该产品适用于1.9 GHz的手持无线电设备中的共射AB类操作。
PHILIPS BFG135 数据手册 BFG135是飞利浦公司生产的一款NPN硅平面外延晶体管，封装为SOT223，主要用于宽带放大器应用。其具有小的发射结构，集成发射极匹配电阻，保证了在低失真水平下的高输出电压能力。该器件的活动区域分布在整个器件表面，具有良好的温度特性。
飞利浦 BFG16A 数据手册 bfg16a是philips公司生产的一款npn 2ghz宽带晶体管。它具有高功率增益、良好的热稳定性和优异的可靠性。该晶体管主要用于宽带放大器、天线放大器和高速示波器中的垂直放大器。
infineon BFG196 数据手册 BFG196是一款NPN硅射频晶体管，适用于1.5 GHz以下的低噪声、低失真宽带放大器，可在20 mA至80 mA的集电极电流下工作。它还可用作DECT和PCN系统的功率放大器。其特性包括7.5 GHz的截止频率和900 GHz时1.5 dB的增益。该器件具有ESD防护，需注意静电放电的处理。
PHILIPS BFG21W 数据手册 本文件为BFG21W UHF功率晶体管的产品规格说明书，介绍了该产品的特点特性，包括高功率增益、高效率、1.9 GHz工作频段、线性和非线性工作等。该产品应用于手持式无线电设备的1.9 GHz常用发射级和DCS1800、1900的驱动器。
飞利浦 BFG31 数据手册 BFG31是一款PNP型5GHz宽带晶体管，其特点是高输出电压能力、高增益带宽积和良好的热稳定性。它采用塑料SOT223封装，适用于宽带放大器应用。其NPN互补型是BFG97。
飞利浦 BFG310W/XR 数据手册 这份文档介绍了一种NPN硅平面外延晶体管，具有高功率增益、低噪声系数和高过渡频率等特点。该产品适用于在GHz范围内的射频前端应用，如模拟和数字蜂窝电话、无绳电话、雷达探测器、寻呼机和卫星天线电视调谐器等。
飞利浦 BFG410W 数据手册 BFG410W是Philips Semiconductors推出的一款NPN 22 GHz wideband transistor，具有很高的功率增益、低噪声系数、高转换频率和低反馈电容等特点，广泛应用于射频前端、宽带应用、雷达检测器、寻呼机、卫星电视调谐器和高频振荡器等领域。
飞利浦 BFG520 BFG520/X BFG520/XR 数据手册(1) 本数据表介绍了BFG520/X/XR型号的NPN 9 GHz宽带晶体管产品的特点特性，包括高功率增益、低噪声系数、高转换频率等。该产品适用于应用于GHz范围的射频前端，如模拟和数字蜂窝电话、无绳电话（CT1、CT2、DECT等）、雷达探测器、寻呼机和卫星电视调谐器（SATV）以及光纤系统中的中继放大器。
飞利浦 BFG541 数据手册 Philips BFG541 NPN 9 GHz wideband transistor, features high power gain, low noise figure, high transition frequency, gold metallization ensures excellent reliability
