NEC NE85001 SERIES 数据手册 NE85001系列是一款1 W C频段功率GaAs MES FET N-CHANNEL GaAs MES FET。它适用于商用放大器、振荡器等应用。该器件采用了钛铝栅和二氧化硅玻璃化工艺，具有高功率输出和高可靠性。
Philips Semiconductors 8-Bit µp-compatible D/A converter NE/SE5018/5019 数据手册 NE/SE5018/19是一款完整的8位数字到模拟转换器子系统，具有输入锁存器和低负载数据输入等特点。
Philips Semiconductors 10-Bit µP-compatible D/A converter NE5020 数据手册 NE5020是一款与微处理器兼容的单片式10位数字到模拟转换器子系统。该设备具有10位分辨率和±0.1%的精度和单调性，在整个工作温度范围内保证。NE5020具有低负载锁存器、可调逻辑阈值和寻址能力，可以直接与大多数微处理器和逻辑控制系统进行接口。NE5020包含内部电压参考、DAC开关和电阻梯形。此外，输入缓冲器和输出求和放大器也包括在内。同时，在单片芯片上包含了用于缩放单极性或双极性输出值的匹配应用电阻。结果是一个近乎最小的元件数量的10位分辨率DAC系统。
Philips Semiconductors Transimpedance amplifier (280MHz) NE5210 数据手册 NE5210是菲利普斯半导体生产的一款低噪声的宽带转阻抗放大器，适用于光纤接收器中的信号恢复。它具有单5V供电、280MHz的宽带、低输入输出阻抗、高电源抑制比、高过载阈值电流、宽动态范围等特点。
PHILIPS NE521 High-speed dual-differential comparator/sense amp 数据手册 NE521是一款高速双差分比较器/传感放大器，具有12ns最大保证传播延迟、20µA最大输入偏置电流、TTL兼容的使能和输出、大的共模输入电压范围等特点。适用于MOS存储器传感放大器、模数转换和高速线路接收器等应用。
Philips Semiconductors Dolby ADM digital audio decoder NE5241 数据手册 NE5241是Philips Semiconductors公司生产的Dolby ADM数字音频解码器，采用双极工艺，具有低噪声、低失真、宽动态范围。NE5241主要应用于高质量的消费类数字音频设备，用于广播(或预录制)数字音频的再现。
CEL NE5510279A 数据手册 NE5510179A是NEC公司推出的一款3.5V GSM1800和GSM 1900手机的射频功率MOSFET。该器件采用NEC的NEWMOS技术（NEC的0.6µm WSi gate侧向MOSFET）制造，并采用表面贴装封装。该器件可以在3.5V电源电压下以1.9GHz的频率提供29.5dBm的输出功率和50%的功率增益效率，或者可以在3.5V电源电压下提供29dBm的输出功率。
CEL NE5510279A 数据手册(1) NE5510279A 是一款专为 3.5V GSM1800 手机设计的 N 通道硅功率 MOSFET。它采用 NEC 的 NEWMOS 技术 (NEC 的 0.6 µm WSi 栅极横向 MOSFET) 制造，并采用表面贴装封装。该器件可以在 3.5V 电源电压下输出 32dBm 输出功率，并具有 45% 的功率附加效率。
CEL NE5511279A 数据手册 NE5511279A是一款N通道硅功率LD-MOS FET，专为7.5V无线电系统的传输功率放大器而设计。该器件可在7.5V电源电压下以900MHz的频率提供40.0dBm输出功率和48%功率增益。
PHILIPS Dual high-performance operational amplifier NE/SA/SE5512 数据手册 NE/SA/SE5512是一款双通道高性能运算放大器，具有低输入偏置电流、低输入电压偏置、低输入电压噪声、高电压增益和大输出驱动能力等特点。
PHILIPS Quad high-performance operational amplifier NE/SE5514 数据手册 NE/SE5514是一款四路高性能运算放大器，具有低输入偏置电流和低偏移电压。它的引脚布局与LM324/LM348相同，可以直接替代，提高双电源应用的系统性能。输出特性类似于µA741，但具有改进的斜率和驱动能力。
PHILIPS Quad high-performance operational amplifier NE/SE5514 数据手册(1) NE/SE5514是一款高性能四通道运算放大器，具有低输入偏置电流和低失调电压。
PHILIPS NE5517/NE5517A/AU5517 Dual operational transconductance amplifier 数据手册 NE5517/NE5517A/AU5517是双运算放大器,具有差分输入和推挽输出,适用于各种类型的预编程增益应用。
CEL NE5520379A 数据手册(1) NE5520279A是NEC设计的用于3.2V DCS1800手机的N通道硅功率MOSFET，最大输出功率32dBm，线性增益10dB，功率附加效率45%，工作电压2.4-6V。
Philips Semiconductors LVDT signal conditioner NE/SA/SE5521 数据手册 NE/SA/SE5521是用于线性变量差动变压器（LVDT）和旋转变量差动变压器（RVDT）的信号调节电路。该芯片包括一个低失真、振幅稳定的正弦波振荡器，带有可编程频率，用于驱动LVDT/RVDT的主电路，一个同步解调器，将LVDT/RVDT输出幅度和相位转换为位置信息，以及一个输出放大器，用于提供解调信号的放大和滤波。
