松下 SC-ZT1 使用说明书 这是一份家庭剧院音频系统的操作说明书，型号为SC-ZT1。该系统具有优异的性能和安全性能，使用前请仔细阅读说明书。保留本手册以备将来参考。对于美国和波多黎各，请参阅第30页的保修条款。对于加拿大，请参阅第31页的保修条款。如果有任何问题，请联系我们的客服。本产品符合能源效率方面的ENERGY STAR®指南。附带的组件有主控部分、扬声器等。
飞利浦 PBSS2515VS 数据手册 PBSS2515VS是PHILIPS公司生产的一种低VCEsat NPN双晶体管，具有300mW的总功耗、1.6x1.2mm的超薄封装、优异的共平面性、低的集电极-发射极饱和电压、高的电流能力、改进的热性能和扁平的引线。
飞利浦 PBSS2515M 数据手册 PBSS2515M是一款15V，0.5A的NPN低VCEsat（BISS）晶体管，具有低集电极-发射极饱和电压VCEsat，高集电流能力IC和ICM，高效率，降低热量产生，减少印刷电路板要求。适用于电源管理、边缘驱动等应用。
飞利浦 PBSS2515VPN 数据手册 PBSS2515VPN是PHILIPS公司生产的一款低Vcesat的NPN/PNP双管，其特点是功耗小（300mW），封装小（1.6x1.2mm），可用于开关、驱动、背光、音频放大等场合。
飞利浦 PBSS2515YPN 数据手册 PBSS2515YPN是一种15V低VCEsat NPN/PNP晶体管。其特点包括低集电极-发射极饱和电压、高电流能力、可替代同一PCB区域上两个SC-70封装的低VCEsat晶体管、减少所需PCB区域和降低拾放成本。
飞利浦 PBSS3515F 数据手册 PBSS3515F是一种15V低VCEsat PNP晶体管，具有低的集电极-发射极饱和电压和高电流能力。它适用于一般用途开关和静音，低频驱动电路，LCD背光，音频频率通用放大器应用以及电池驱动设备（手机，摄像机和手持设备）。
飞利浦 PBSS3515M 数据手册 PBSS3515M 是 Philips Semiconductors 生产的一款 15 V, 0.5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor
philips PBSS3515VS 15 V low VCEsat PNP double transistor 数据手册 该文件介绍了PBSS3515VS型号的15V低VCEsat PNP双晶体管的特点和特性，包括300 mW总功耗、超薄封装、低饱和压降、高电流能力等。
philips PBSS4140U 40 V low VCEsat NPN transistor 数据手册 该文件介绍了PBSS4140U型号的40V低VCEsat NPN晶体管的特点和特性，包括低集电极-发射极饱和压降、高电流能力、减少热量产生和改善器件可靠性等。该晶体管适用于一般用途开关和静音、LCD背光、电源线开关电路以及电池驱动设备（手机、摄像机和手持设备）。
philips PBSS4140T 40 V, 1A NPN low VCEsat (BISS) transistor 数据手册 PBSS4140T是一款低Vcesat的NPN型晶体管，具有低发热量、高电流能力和可靠性。它广泛用于开关、静音、LCD背光、电源线切换电路以及手机、摄像机等各种便携设备。
philips PBSS4140S 40 V low VCEsat NPN transistor 数据手册 pbss4140s是飞利浦推出的一款低vcesat npn晶体管，具有高功耗、超低集电极-发射极饱和电压、1a连续电流、高电流开关等特点，广泛应用于中等功率开关和静音、线性稳压器、dc/dc转换器、lcd背光、电源线开关电路等领域。
philips PBSS4140DPN 40 V low VCEsat NPN/PNP transistor 数据手册 该数据手册介绍了PBSS4140DPN低Vcesat NPN/PNP晶体管的特点特性，产品特点包括600 mW的总功耗、低集电-发射饱和电压、高电流能力等。
philips PBSS4130T 30 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor 数据手册 PBSS4130T是一款30V、1A的NPN低Vcesat(BISS)晶体管，具有低集电极-发射极饱和电压Vcesat、高集电流能力Ic和ICM、高效率、低发热、印刷电路板要求低、是特定应用中MOSFET的成本效益替代品。
philips PBSS4120T 20 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor 数据手册 PBSS4120T是一款20V、1A的NPN低VCEsat（BISS）晶体管。它具有低的集电极-发射极饱和电压VCEsat、高的集电极电流能力IC和ICM、高效率、减少热量产生和降低印刷电路板要求的特点。它是MOSFET在特定应用中的经济有效替代品。适用于电源管理、外围驱动等领域。
philips PBSS4140V 40 V low VCEsat NPN transistor 数据手册 这是一款低Vcesat NPN 晶体管，其特点是功耗小、封装小巧、电流能力强。该晶体管适用于一般用途开关和静音、LCD 背光、供电线开关电路和电池驱动设备（如手机、摄像机和掌上设备）。
philips PBSS4160T 60 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor 数据手册 本文档介绍了PBSS4160T型号的特点和特性，该型号是一种60V、1A的NPN低VCEsat（BISS）晶体管。
NXP Semiconductors PBSS5350SS 数据手册(1) PBSS5350SS是一款50V，2.7A的PNP/PNP低Vcesat突破小信号（BISS）晶体管，采用中功率表面贴装器件（SMD）塑料封装。
philips PBSS5120T 20 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor 数据手册 PBSS5120T是菲利普半导体公司推出的一款PNP BISS晶体管，具有超低VCEsat和RCEsat参数。该晶体管适用于电源管理、DC/DC转换、供电线切换、电池充电器、LCD背光等应用。
