SEMTECH SK10/100EL11W DATA SHEET SK10/100EL11W是MC10/100EL11和MC100LVEL11的完全兼容器件，采用独特的三端输出，输出转换时间比EL11快，在要求极致AC性能的应用中具有理想的应用。
ASI TVU0.5 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 数据手册(1) TVU0.5是一款NPN硅RF功率晶体管，其最大电流为2.0A，最大电压为45V，最大电压为25V，最大电压为3.5V，最大输出功率为31.8W。
Z-COMMUNICATIONS SMV1960L DATA SHEET SMV1960L是一款低成本、高性能的电压控制振荡器，具有频率范围1-4 MHz，调谐电压1-4 Vdc，输出功率50 dBm等特点。
TEXAS INSTRUMENTS SN65LVDS104, SN65LVDS105 4-PORT LVDS AND 4-PORT TTL-TO-LVDS REPEATERS Data Sheet 该数据手册介绍了SN65LVDS104和SN65LVDS105的特点和特性。SN65LVDS104和SN65LVDS105是4端口LVDS和4端口TTL-TO-LVDS中继器。该数据手册介绍了SN65LVDS104和SN65LVDS105的功能和特性，包括接收器和驱动器符合或超过ANSI EIA/TIA-644标准、SN65LVDS105接收低压TTL(LVTTL)电平、SN65LVDS104接收差分输入电平、±100 mV、设计用于传输速率高达630 Mbps、以单个3.3 V电源工作、低压差分信号、典型输出电压为350 mV和100-Ω负载、传播延迟时间、SN65LVDS105 . . . 2.2 ns(典型)、SN65LVDS104 . . . 3.1 ns(典型)、与LVDS、PECL、LVPECL、LVTTL、LVCMOS、GTL、BTL、CTT、SSTL或HSTL输出兼容、外部网络的驱动器输出为高阻抗、当禁用或VCC <1.5 V时、总线引脚ESD保护超过16 kV、SOIC和TSSOP封装
ASI MLN1037F 数据手册 ASI MLN1037F是Advanced Semiconductor, Inc.生产的一款NPN硅射频功率晶体管。它具有Omnigold™金属化系统，额定电流为10 A，电压为60 V和35 V，最大功耗为140 W。
ASI MLN1033F 数据手册 这是一款由ASI公司生产的MLN1033F型NPN硅RF功率晶体管，其特点是具有最高20.6W的功率耗散和12dB的增益，并且采用了Omnigold™金属化系统，具有良好的散热性能。
TEXAS INSTRUMENTS SN54AHCT123A, SN74AHCT123A 数据手册 SN54AHCT123A和SN74AHCT123A是双向可重触发单稳态多谐振器，具有TTL兼容输入、A、B和CLR输入上的施密特触发电路以实现慢速输入转换率、从活动高或活动低门控逻辑输入边缘触发、可重新触发以实现非常长的输出脉冲以及覆盖清除终止输出脉冲。
TEXAS INSTRUMENTS SN74ALVCH162373 数据手册 这是SN74ALVCH162373 16位透明D型锁存器的功能描述和订购信息。它适用于实现缓冲寄存器、I/O端口、双向总线驱动器和工作寄存器。
TEXAS INSTRUMENTS SN74ALVCH16282 数据手册 该文档是SN74ALVCH16282 18-BIT TO 36-BIT REGISTERED BUS EXCHANGER WITH 3-STATE OUTPUTS的使用手册
TEXAS INSTRUMENTS SN75C198 数据手册 SN75C198是一种四路低功耗线路驱动器，符合ANSI EIA/TIA-232-E和ITU建议V.28的规格要求。它具有非常低的供电电流和超低的供电电流，是SN75188、Motorola MC1488、National Semiconductor DS14C88和DS1488的改进功能替代品。它具有CMOS和TTL兼容的数据输入，具有30 V/µs的限制输出斜率和10 mA的输出电流限制。它适用于在0°C到70°C的环境下工作。
AUK SQ6601PT DATA SHEET SQ6601PT是一种混合集成电路，由功率MOSFET和控制器IC组成，适用于间接反馈准谐振（包括低频PRC）反激式开关电源（SMPS）应用。该IC实现了高效率、低噪音、小型化和标准化的电源系统，减少了外部元件数量并简化了电路设计。
FAIRCHILD SS22-S210 数据手册 SS22-S210是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款肖特基二极管，具有高电流能力、低VF等特点，适用于低压、高频逆变器、自由轮和极性保护应用。
ST STD10NF06L N-CHANNEL 60V - 0.1Ω - 10A DPAK STripFET™ POWER MOSFET 数据手册 该数据表是STD10NF06L N-CHANNEL 60V - 0.1Ω - 10A DPAK STripFET™ POWER MOSFET 的数据表。该 MOSFET 采用 STMicroelectronics 独有的 STripFET™ 工艺，专门设计用于最小化输入电容和栅极电荷。因此，它非常适合用作电信和计算机应用的先进高效率、高频隔离 DC-DC 转换器的主开关。它还适用于对栅极驱动要求较低的任何应用。
SGS-THOMSON STH60N10/FI STW60N10 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR 数据手册 该文件介绍了STH60N10/FI STW60N10 N沟道增强型功率MOS晶体管的特点和特性，包括低电阻、高电流能力、高温工作等。适用于高电流、高速开关、电源转换器、马达控制、音频放大器等应用。
