FAIRCHILD 4N25, 4N26, 4N27, 4N28, 4N35, 4N36, 4N37, H11A1, H11A2, H11A3, H11A4, H11A5 数据手册 该文件介绍了一种通用光电晶体耦合器，由镓砷化物红外发射二极管和硅光电晶体组成，具有6引脚双列直插封装。该产品可用于电源调节器、数字逻辑输入和微处理器输入等应用。
Agilent Technologies 5082-761x Series, 5082-762x Series, 5082-765x Series, 5082-766x Series, HDSP-360x Series, HDSP-460x Series, HDSP-E15x Series 数据手册 HDSP-5082系列共阴极LED显示管是高亮度、低功耗和大视角的LED显示管。该系列产品采用优质的AlGaAs红色、HER红色、黄色和绿色发光二极管，具有均匀的光照和良好的对比度。该系列产品具有多种不同的封装，包括7.6mm、10.9mm和16.2mm，可满足不同的应用需求。
TEXAS INSTRUMENTS SN54LVTH162244, SN74LVTH162244 数据手册 该文档介绍了一款名为SCBS258M的产品的特点特性。该产品属于德州仪器的Widebus系列，具有22-Ω等效串联电阻，无需外部电阻，支持混合信号操作，支持5V输入和输出电压与3.3V的VCC，支持未调节的电池操作，具有低输出地弹跳、Ioff和上电3态支持热插拔、数据输入上带有总线保持功能，无需外部上拉/下拉电阻，分布式的VCC和GND引脚降低高速切换噪声，流通架构优化PCB布局，抗拉伸性能超过500mA，ESD保护超过2000V。
philips 74ALVCH16373 2.5V/3.3V 16-bit D-type transparent latch (3-State) 数据手册 该文档介绍了74ALVCH16373 2.5V/3.3V 16位D型透明锁存器（3态）的特点和特性，包括宽电压范围、低功耗、多字节流通标准引脚布局等。
ST 74LX1G126 数据手册 74LX1G126是一款低压CMOS单总线缓冲器，采用亚微米硅栅极和双层金属互连C2MOS技术制造。3状态控制输入G必须设置为低电平，以将输出置于高阻状态。所有输入都具有掉电保护，并且可以从0到7V接收输入，而不管电源电压如何。此设备可用于接口5V到3V。所有输入和输出都配备了防静电保护电路。
AMIC Technology A23L0616/A23L06161/A23L06162 Series 数据手册 A23L0616/A23L06161/A23L06162系列预备1M x 16 / 2M x 8位CMOS掩模ROM。
AMIC 32K X 8 BIT HIGH SPEED CMOS SRAM A615308 Series 说明书 该文件介绍了A615308系列32K X 8位高速CMOS SRAM的特点和特性，例如单一+5V电源供应、访问时间、静态操作、输入输出与TTL兼容等。
AEROFLEX ACT–E128K32 High Speed 4 Megabit EEPROM Multichip Module 数据手册 ACT-E128K32 是一款高速度、4 兆位、CMOS EEPROM 多芯片模块 (MCM)，专为军事、航天或高可靠性应用的整个温度范围设计。
ON Semiconductor MC68194 数据手册 该文件介绍了MC68194载波带调制器(CBM)的功能特性，包括符号编码/解码、信号传输和接收以及物理管理。该CBM与MC68824令牌总线控制器配合使用时，可提供IEEE 802.4单通道、相位一致的载波带局域网(LAN)连接。
AEROFLEX ACT-S512K32V High Speed 3.3Volt 16 Megabit SRAM Multichip Module Aeroflex Circuit Technology - Advanced Multichip Modules SCD3360 REV B 12/17/98是一款512K x 32 bits、1M x 16 bits或2M x 8 bits SRAM Multichip Module (MCM)，具有17ns、20ns、25ns、35ns和45ns maximum的access time，工作温度范围为-55°C to +125°C，可用于军事、空间或高可靠性大容量存储和高速缓存应用。
AMD Am29LV160B 16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory 说明书(1) 该文档介绍了Advanced Micro Devices正在开发的一款产品的信息。这款产品是一种16兆位（2 M x 8位）CMOS 3.0伏特独立引导扇区闪存存储器。其特点包括单电源操作、制造工艺为0.35微米、高性能、超低功耗、灵活的扇区架构等。
AMD Am29LV160B 16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory 说明书(1)(1) Am29LV160B 16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory 该存储器支持单电源供电，全电压范围为 2.7 至 3.6 伏，用于电池供电的应用。
ST AM83135-015 DATA SHEET AM83135-015是安森美半导体推出的一款高功率S波段NPN射频晶体管，适用于脉冲输出和驱动应用。该晶体管具有100微秒脉宽和10%的占空比，但能够在各种脉宽、占空比和温度范围内工作，并且能够承受3:1输出VSWR和+1dB的输入过载。AM83135-015采用IMPAC™金属/陶瓷封装，内置输入/输出阻抗匹配电路，适用于军事和其他高可靠性应用。
