Integrated Device Technology, Inc. IDT54/74FCT16245T/AT/CT/ET 该文件是关于IDT 16位双通道、低功耗、同步串行收发器的介绍，该产品具有高速度、低功耗，适用于两条总线之间的同步通信。
Agilent G1888 Network Headspace Sampler Site Prep and Installation Guide 介绍Agilent G1888网络气相采样仪的现场准备和安装
HEWLETT PACKARD INA-01100 Technical Data INA-01100 是一款低噪声硅双极晶体管集成电路 (MMIC) 反馈放大器芯片，适用于需要高增益和低噪声 IF 或 RF 放大的窄带或宽带工业和军事应用。
Agilent Installing the Agilent Dual Plasma Burner Mounting Kit Accessory: G6600-60601, G6600-60606, G6600-60607, G6600-60608, G6600-60619, G6600-60620 本文件介绍了Agilent 6890 GC 双火焰燃烧器安装说明
Agilent Micro Fluidics 1/16-inch Tube Union Kits 说明书 该文件是关于Agilent Micro Fluidics 1/16-inch Tube Union Kits Installation Guide的说明文档。
lnternational IOR Rectifier IRF3711ZPbF IRF3711ZSPbF IRF3711ZLPbF 数据手册 IRF3711ZPbF是IRF公司生产的一种功率MOSFET，主要应用于高频同步降压转换器中，具有低RDS（on）、超低栅极阻抗、完全表征的雪崩电压和电流等特点
lnternational IOR Rectifier IRU1206 / IRU1207 / IRU1208 / IRU1209 数据手册 IRU1206系列是使用PNP晶体管作为通断元件的超低压降1A稳压器。这些产品在只有单一输入电源可用且辍压小于1V时非常理想，超过了NPN/PNP混合稳压器的最小辍压特性。这些稳压器的一个常见应用是输入为3.3V且需要2.5V输出的情况。除了小于0.5V的辍压之外，这些器件家族还具有微功耗关断能力和输出欠压锁定检测，其中Flag引脚在输出低于其名义点的5%时被切换为低电平。
intersil ISL95711 数据手册 ISL95711是一种数字控制电位计（XDCP），具有±3V或±5V的终端电压，128个刻度和I2C串行接口。它由电阻阵列、刷子开关、控制部分和非易失性存储器组成。
intersil ISL95810 数据手册 ISL95810是一款单一数字控制电位器，具有低噪声、低功耗和I2C总线接口。它有256个电阻档位，分辨率为0.4%，可用作控制、参数调节和信号处理等多种应用。
LINEAR SYSTEMS J/SST174 SERIES SINGLE P-CHANNEL JFET SWITCH 该文件介绍了一款直接替代SILICONIX J/SST174系列的P-Channel JFET开关。该产品具有低导通电阻、低门极工作电流等特点。
Agilent Installing the Dual Plasma Burner Mounting Kit on a Shimadzu 2014 GC Accessory G6600-60621 说明书 该文件描述了如何安装双等离子燃烧器安装套件在气相色谱仪(GC)上，并提供了安装步骤和所需材料。
Samsung K6R1004V1D Data Sheet 本文件是关于K6R1004V1D CMOS SRAM for AT&T的64Kx16位高性能CMOS静态RAM(3.3V操作)，在商业和工业温度范围内运行的规格说明
FAIRCHILD KA1L0380B/KA1L0380RB/KA1M0380RB/ KA1H0380RB Data Sheet 该文件介绍了一种特殊设计的离线开关电源模块(SPS)，具有精确的固定工作频率和多种保护功能。SPS由高压功率SenseFET和电流模式PWM控制器IC组成，能够减少元件数量、设计尺寸和重量，提高效率、可靠性和系统稳定性。
HITACHI 1SS108 Silicon Schottky Barrier Diode for Various Detector, High Speed Switching 数据手册 1SS108 是一种硅肖特基势垒二极管，用于各种探测器和高速开关。该二极管具有优异的探测效率、小温度系数和玻璃密封的高可靠性。
HITACHI 1SS110 Silicon Epitaxial Planar Diode for Tuner Band Switch 数据手册 1SS110是希捷公司生产的一款硅外延平面二极管，适用于5mm间距的高速自动插入，具有低正向电阻和小尺寸的玻璃封装
HITACHI 1SS118 Silicon Epitaxial Planar Diode for High Speed Switching 数据手册 1SS118是德州仪器生产的一种硅平面二极管，具有高平均正向电流和高可靠性。
HITACHI 1SS119 Silicon Epitaxial Planar Diode for High Speed Switching 数据手册 该文档介绍了1SS119硅外延平面二极管的特点，包括低电容、短的反向恢复时间和小型玻璃封装。该二极管适用于高速开关应用。
HITACHI 1SS120 Silicon Epitaxial Planar Diode for High Speed Switching 数据手册 1SS120 是Si Epitaxial Planar Diode for High Speed Switching，具有低电容（C = 3.0pF max）和短的反向恢复时间（trr = 3.5ns max）等特点。
