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TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type 1SV323 数据手册

1SV323 是东芝生产的一款半导体二极管，该二极管具有高电容比和低串联电阻，适用于小型调谐器。

东芝 1SV322 说明书

1SV322 是东芝的一种TCXO/VCO二极管，具有高电容比（C1 V/C4 V = 4.3，典型值）和低串联电阻（rs = 0.4 欧姆，典型值），适用于小型调谐器。

ZETEX ZXTN2011G 说明书

该文件介绍了一款新型的低饱和度100V NPN晶体管，具有极低的导通损耗，非常适合在DC-DC电路和各种驱动和功率管理功能中使用。

ANALOG DEVICES Ultralow Offset Voltage Dual Op Amp AD708 数据手册(1)

AD708是Analog Devices公司生产的一款双通道超低失调电压运算放大器，具有极高的直流精度、最小输入偏置电流、最小失调电压漂移和最小电压噪声。

ANALOG DEVICES Ultralow Offset Voltage Dual Op Amp AD708 数据手册(1)(1)

AD708是AD公司出品的一种高精度双通道运算放大器，其最大输出偏置电压为30uV，偏置电压漂移为0.3uV/℃，最大输入偏置电压为0.35uV p-p，开环增益为5V/uV，最大输入电压为2.2V，最大输出电压为20V。

ST 1.5KE6V8A/440A 1.5KE6V8CA/440CA 数据手册

该文件介绍了1.5KE系列TRANSILTM I峰值脉冲功率为1500W(10/1000µs)，具有6.8V至440V的击穿电压范围，具有低电压保护特性和快速响应时间。

Microsemi Series 150C Data Sheet

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FAIRCHILD 1N4001 - 1N4007 数据手册

1N4001-1N4007是Fairchild Semiconductor Corporation生产的1.0安培通用整流器。这些器件具有低正向压降和高浪涌电流能力。

Microsemi 1N4099UR-1 thru 1N4135UR-1 and CDLL4099 thru CDLL4135 Data Sheet

1n4099ur-1是microsemi公司生产的一款二极管，其特点是低电流操作，能够在250μa下工作，并且具有金属结合的特性。

IO 1N4933G THRU 1N4937G 1.0 AMP GLASS PASSIVATED FAST RECOVERY RECTIFIERS

1.0安培玻璃钝化快速恢复整流器

Each 1N4933 thru 1N4937 RECTIFIER

该文件是关于1N4934的供应商信息。提供了产品的特点特性。

GENERAL SEMICONDUCTOR 1N5615GP THRU 1N5623GP 数据手册

1N5615GP THRU 1N5623GP是GEC的玻璃钝化结快速开关整流器，反向电压范围为200-1000V，额定正向电流为1.0A。

GENERAL SEMICONDUCTOR 1N5711 and 1N6263 数据手册

该文件介绍了1N5711和1N6263肖特基二极管的特点和特性，包括用途、前向电压降和快速开关等。此外，还提供了该二极管的机械数据、最大额定值和热特性，以及电气特性如反向击穿电压、泄漏电流、正向电压降、结电容和反向恢复时间等。

SYLVANIA TRU-AIM® MR11 & MR16 FAMILY

该文件介绍了SYLVANIA的TRU-AIM® MR11和MR16系列低压卤素灯的特点特性，包括六个系列的MR16灯以满足各种应用需求，亮度高、寿命长、反射器和灯丝设计优良，具有优秀的光束模式，有UV控制胶囊可减少90%的紫外辐射，GU4和GU5.3底座可提供稳固的插座连接。

Microsemi 1N821UR thru 1N829AUR-1 Data Sheet

1N821UR 和 1N829AUR-1系列表面贴装零电流温度系数 (Zero-TC) 基准二极管提供 6.2 V 和 6.55 V 额定电压，以及可低至 0.0005%/oC 的电流温度系数，以便在 7.5 mA 的操作电流下，确保温度变化时电压变化最小。这些玻璃表面贴装 DO-213AA (MELF) 基准二极管可选择性地在其“-1”后缀中提供内部冶金键合。这种类型的键合齐纳封装结构还提供 JAN、JANTX 和 JANTXV 军用认证。Microsemi 还提供多种其他 Zener 基准二极管产品，以便为多种其他电压 (高达 200 V) 提供服务。

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