MITSUBISHI FS5VS-14A 数据手册 FS5VS-14A是三菱电机生产的一款Nch功率MOSFET，其最大导通电阻为2.6欧姆，最大电压为700V，最大电流为5A。该器件适用于SMPS、DC-DC转换器、电池充电器、打印机、复印机、HDD、FDD、电视、录像机、个人计算机等应用。
三菱电机 FS5UM-18A 说明书 该文档介绍了MITSUBISHI Nch POWER MOSFET FS5UM-18A高速开关的特点和特性。该产品适用于SMPS、DC-DC转换器、电池充电器、打印机、复印机、硬盘驱动器、软盘驱动器、电视、录像机、个人电脑等电源供应。
IXYS IXTH / IXTM 10N100，IXTH / IXTM 12N100 数据手册 该数据表提供了IXTH/IXTM 10N100和IXTH/IXTM 12N100的最大额定值、特性值、封装、引脚排列、应用、优点等信息。
IXYS IXTH/IXTT 10P50，IXTH/IXTT 11P50 数据手册 这是 IXYS 公司的 10P50 和 11P50 型号的标准功率 MOSFET 器件的参数手册。该器件具有国际标准封装，低 RDS(on) HDMOSTM 工艺，坚固的聚硅栅单元结构，未夹紧的线圈开关 (UIS) 额定，低封装电感，易于驱动和保护。
IXYS IXTH / IXTM 11N80，IXTH / IXTM 13N80 数据手册 该文件介绍了IXYS Corporation生产的MegaMOSTMFET N-Channel Enhancement Mode产品的特点和特性，包括国际标准封装、低RDS（on）、HDMOSTM工艺、坚固的多晶硅栅极结构和低封装电感。
IXTQ IXTH 10P60 数据手册 该文件介绍了IXYS公司的TO-247 AD型号功率MOSFET产品的特点和特性，包括最大额定值、引脚定义、最大温度、最大电压和电流等。该产品具有低RDS（on）值、可靠的结构、抗电弧能力和低包装电感等特点，适用于高侧开关、推挽放大器、直流斩波器和自动测试设备。
IXYS IXTQ 75N10P IXTA 75N10P IXTP 75N10P 数据手册 该文件介绍了PolarHTTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode的特点特性，包括国际标准包装、未钳位感应开关(UIS)额定、低包装电感等
IXYS IXTA/IXTP 3N120，IXTA/IXTP 3N110 数据手册 IXTA/IXTP 3N120和3N110是IXYS公司的高压功率MOSFET。它们具有国际标准的封装、低RDS（on）、unclamped Inductive load Switching（UIS）额定值和UL 94 V-0 阻燃性等优点。
IXYS IXTA 1N100 IXTP 1N100 说明书 该文件介绍了 IXYS 公司生产的 N-Channel Enhancement Mode MOSFET 产品的特点和特性，包括高电压、低 RDS(on)、坚固的多晶硅栅结构、快速开关时间等。该产品适用于开关模式和谐振模式电源、飞回式逆变器、直流斩波器、高频匹配等应用。
IXYS IXTQ 180N055T/IXTA 180N055T/IXTP 180N055T 数据手册 该文件介绍了IXYS公司2005年生产的一款N-Channel Enhancement Mode功率MOSFET产品的特点和特性，包括国际标准封装、无钳位感应开关、低封装电感等。该产品易于安装，节省空间，具有高功率密度。
IXYS IXTQ 110N055P/IXTA 110N055P/IXTP 110N055P 数据手册 本文件为IXTQ 110N055P的datasheet，主要介绍了该产品的最大电压、额定电流、漏极电流、栅极-源极电压、漏极-源极电压、栅极-源极电流、漏极-源极电阻等参数。
IXYS IXTH 12N90/IXTM 12N90 数据手册 IXTH 12N90是一款TO-247封装的N沟道增强型MOSFET，其最大电压为900V，最大电流为12A，开关时间快，适用于开关电源、逆变器等应用。
IXYS IXTN 58N50，IXTN 61N50 数据手册 这份文件介绍了IXYS公司的高电流功率MOSFET产品。产品特点包括国际标准封装、3000V的隔离电压、低RDS（on）值、坚固的多晶硅栅结构、低漏极-壳体电容和低封装电感等。该产品适用于各种应用领域。
IXYS IXTH / IXTM 5N100，IXTH / IXTM 5N100A 数据手册 5N100 和 5N100A 是 IXYS 生产的 N 沟道增强型标准功率 MOSFET，具有国际标准封装、低 RON、高可靠性等特点。该产品适用于开关模式和谐振模式电源、电机控制、不间断电源 (UPS) 和 DC 斩波器等应用。
IXYS IXTH / IXTM 21N50 数据手册 IXTH / IXTM 21N50 和 24N50 是 IXYS 公司的 MegaMOSTMFET N 沟道增强型 MOSFET，最大电压为 500 V，最大电流为 21 A 和 24 A，最大功率为 300 W。
IXYS IXTH 16P20 说明书 该文件介绍了IXYS的一款P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Standard Power MOSFET（IXTH 16P20），具有国际标准封装、低RDS(on)、坚固的多晶硅栅极单元结构、无限电感开关（UIS）等特点。
IXYS IXTH 15N70 数据手册 该文件介绍了IXYS Corporation的MegaMOSTMFET N沟道增强型功率场效应晶体管的特点和特性。这款晶体管具有700V的最大耐压、15A的最大电流、0.45Ω的开态电阻、低RDS(on)值等。它适用于开关模式和谐振模式电源、电机控制、不间断电源等应用领域。
