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TEXAS INSTRUMENTS TLV247X-Q1 Data Sheet

TLV247x系列是低功耗、高性能的CMOS运放，提供2.8 MHz的增益带宽积，输入偏置电流仅为2.5 pA，输出驱动能力高达±35 mA。

DF Series 15 Amp Thermal Cutoffs

Thermtrol Thermal DF Series Thermal Cutoffs are single action devices that open when a preset temperature is reached. The DF Series is the right choice for applications requiring an inexpensive limit protector with 15A capability.

SIEMENS HYB 3164800AJ/AT(L) -40/-50/-60 Data Sheet

HYB 3164800AJ/AT(L) -40/-50/-60是64 MBit动态RAM，组织为8 388 608个8位。该器件采用先进的第二代工艺制造，具有低功耗、高性能、低电压和高可靠性等特点。

RICOH RV5VG1×××SERIES RECHARGEABLE LITHIUM-ION CELL PROTECTORS

该文件介绍了 RV5VG1×××系列锂离子电池保护器。该系列产品具有低供电电流、高精度检测器阈值、多种检测器阈值、内置保护电路、可设置短保护电压、可调节的感应延迟、小封装等特点。

TEXAS INSTRUMENTS TMS320C6211, TMS320C6211B FIXED-POINT DIGITAL SIGNAL PROCESSORS Data Sheet

TMS320C6211和TMS320C6211B是出色的性价比数字信号处理器(DSP)，具有八个32位指令/周期，150MHz和167MHz的时钟频率，6.7ns和6ns的指令周期时间，以及1200和1333 MIPS的性能。

SGS-THOMSON M28C16 数据手册

该文件介绍了M28C16 16K (2K x 8) 并行EEPROM的特点和特性，包括快速访问时间、低功耗、快速写入周期、数据保护等。

ST M29F102BB 1 Mbit (64Kb x16, Boot Block) Single Supply Flash Memory 数据手册

M29F102BB是单供电闪存，支持1Mbit（64Kb x16，启动块），具有以下特点：单5V±10%供电电压，用于编程、擦除和读取操作；35ns的访问时间；8µs的编程时间，每个字典典型；5个存储块，1个启动块（底部位置），2个参数块和2个主块；嵌入式字编程算法、嵌入式多块/芯片擦除算法、状态寄存器轮询和切换位；擦除暂停和恢复模式，可在擦除暂停期间读取和编程另一个块；解锁旁路编程命令，加快生产/批量编程；临时块保护模式；待机和自动待机，每个块支持100,000次编程/擦除周期；与M28F102兼容，引脚排列和读取模式；20年的存储保留，缺陷率低于1ppm/年；电子签名，制造商代码为0020h，底部设备代码M29F102BB为0097h；兼容无铅焊接工艺，提供无铅版本。

ST M29DW324DT M29DW324DB 32 Mbit (4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 16:16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory 数据手册

M29DW324DT M29DW324DB 32 Mbit (4Mb x8或2Mb x16, Dual Bank 16:16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory 是M29DW324DB产品的详细信息手册

ST M29F400BT M29F400BB 4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) Single Supply Flash Memory 数据手册

M29F400BT，M29F400BB为4Mbit（512Kb x 8或256Kb x 16，Boot块）单供电闪存，支持5V±10%电压，读取、编程、擦除时间分别为45ns、8µs、20年数据保留时间，产品特点包括11个存储块、嵌入式字节/字编程算法、嵌入式多块/芯片擦除算法、状态寄存器轮询和切换位、就绪/忙输出引脚、擦除暂停和恢复模式、解锁旁路编程命令、临时块解保护模式、低功耗

Mitsubishi microcomputers M30201 Group Data Sheet

M30201系列单片机是采用高性能硅栅CMOS工艺，以M16C/60系列CPU核为核心而设计的。M30201系列采用52引脚塑料封装SDIP，或56引脚塑料封装QFP。这些单片机以高效指令运作，具有高指令效率。在1M字节地址空间下，可高速度执行指令。M30201系列包括多种具有不同内存类型和容量、不同封装类型的系列产品。

MITSUBISHI MICROCOMPUTERS 3818 Group SINGLE-CHIP 8-BIT CMOS MICROCOMPUTER

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Samsung 256MB, 512MB, 1GB Registered DIMM Data Sheet

该文件介绍了DDR SDRAM 256MB、512MB和1GB Registered DIMM的规格和特性。这些模块采用256Mb E-die (x4, x8)技术，具有72位ECC校验和1,700 / 1,200mil高度。供应商查询信息包括不同容量和组织的模块的型号和规格。

ST M440T1MV 3.3V, 32 Mbit (1024 Kbit x 32) TIMEKEEPER ® SRAM 数据手册

M440T1MV 3.3V, 32 Mbit (1024 Kbit x 32) TIMEKEEPER® SRAM是超低功耗SRAM，集成了实时时钟、电源故障控制电路、电池和晶体，具有精密功率监视和电源切换电路，当VCC超出范围时，会自动写入保护。

ST M58LW032A 32 Mbit (2Mb x16, Uniform Block, Burst) 3V Supply Flash Memory 数据手册

M58LW032A 32 Mbit (2Mb x16, Uniform Block, Burst) 3V Supply Flash Memory 具有宽 x16 数据总线，可实现高带宽。供电电压为 VDD = 2.7 至 3.6V 的核心电源电压，用于程序、擦除和读取操作；VDDQ = 1.8V 至 VDD 用于 I/O 缓冲区。它支持同步/异步读取，即同步突发读取、异步随机读取、异步地址锁定控制读取和页读取。访问时间为同步突发读取高达 56MHz；异步页模式读取 90/25ns 和 110/25ns；随机读取 90ns，110ns。它具有 16 字写入缓冲区和 18µs 字有效编程时间。它具有 64 个均匀的 32 KWord 存储块、块保护/取消保护、程序和擦除暂停、128 位保护寄存器、公共闪存接口和 100,000 次程序/擦除周期/块。电子签名为制造商代码：0020h - 设备代码 M58LW032A：8816h。它有 TSOP56（N）14 x 20 毫米 TBGA64（ZA）10 x 13 毫米 TBGA 两种封装。

MITSUBISHI M5M5256DFP,VP,RV -10VLL-I,-12VLL-I,-15VLL-I, -10VXL-I,-12VXL-I,-15VXL-I Data Sheet

M5M5256DFP,VP,RV是三菱电气生产的262,144-bit CMOS静态RAM，使用3个多晶硅CMOS技术，具有高密度和低功耗。它是理想的用于需要简单接口的存储系统。

MITSUBISHI SOUND PROCESSORS ICs M61515FP

该文件介绍了M61515FP声音处理器IC的特点和特性，包括内置的QSurround声音技术、电子音量控制、2段音调控制、5输入选择器、供电电压范围等。

SGS-THOMSON M54 /74HC90/691M54/74HC692/693 数据手册

M54/74HC690/691/692/693是一种高速CMOS计数器/寄存器，采用硅门C2MOS技术制造。它们具有LSTTL的高速性能和真正的CMOS低功耗。内部电路由3个级别组成，包括缓冲输出，具有高噪声抑制和稳定输出。这些器件在一个20针封装中集成了同步计数器、四位D型寄存器和四路二线到一线多路复用器，具有三态输出。计数器可以从数据输入进行编程，并具有使能P和使能T输入以及易于扩展的串行传递输出。寄存器/计数器可选择计数输出或并行寄存器输出。

ST M95256 M95128 数据手册

M95256和M95128是互换的256Kbit和128Kbit串行SPI总线EEPROM，具有高时钟速率，高达10MHz时钟速率，5ms写入时间。该数据表提供了M95256和M95128的规格、封装、引脚图和逻辑图。

DYNEX MA5114 说明书

MA5114 4k静态RAM采用CMOS-SOS高性能、辐射硬化、3μm技术制造。设计采用6个晶体管单元，具有完全静态操作，不需要时钟或定时触发。当芯片选择处于高电平状态时，地址输入缓冲器处于非选通状态。特点包括3μm CMOS-SOS技术、抗射线干扰、快速访问时间、总剂量106Rad(Si)、瞬态干扰>1010Rad(Si)/sec、SEU<10-10位误差/天、单一5V供电、三态输出、低待机电流、-55°C至+125°C工作温度范围、所有输入和输出完全兼容TTL或CMOS、完全静态操作、2V供电时数据保持。

M/A-COM MAAM37000-A1 L ow Noise GaAs MMIC Amplifier 3.5 - 7 GHz

MAAM37000-A1是一款宽带、低噪声、MMIC放大器，采用8引线陶瓷封装，内置两个集成增益级，采用串联感性反馈，可获得优异的噪声系数和整个频带内良好的50欧姆输入输出阻抗匹配。该产品单独使用+4V电源，完全集成，无需外部组件，采用用户友好型微波封装。MAAM37000-A1可以作为低噪声放大器在接收应用中表现良好，也可以作为驱动器或缓冲放大器，在高增益、优异线性度和低功耗很重要的应用中表现良好。由于其宽带特性，MAAM37000-A1可用于众多商业和政府系统应用，如TVRO、VSAT、导弹制导和雷达。该产品采用可靠的0.5微米GaAs MESFET工艺在内部生产。