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MCC SMBJ5.0 THRU SMBJ170CA Data Sheet

SMBJ5.0 THRU SMBJ170CA 是瞬态电压抑制器，特点是表面安装，低功耗，响应时间快，低内阻。

Global Mixed-mode Technology Inc. G913 150mA Low-Dropout Linear Regulators Data Sheet

G913是一种低供电电流、低压降线性稳压器，适用于笔记本电脑、手机、PDA等电池供电应用。

Global Mixed-mode Technology Inc. G940/G941 3.7V 400mA Low Dropout Regulator Data Sheet

G940/G941是GMT公司生产的一款3.7V 400mA低压差稳压器，其特点是典型压差为0.8V，输出电流超过400mA，输出电压精度为+3%/-2%，静态电流典型值为600µA，内置短路电流限制和过温保护功能。

GENERAL SEMICONDUCTOR GF1A THRU GF1M 数据手册

GF1A THRU GF1M 表面贴装玻璃钝化结整流器是理想的表面贴装汽车应用。该产品采用高温冶金键合结构和玻璃钝化无腔室结，并符合 MIL-S-19500 的环境标准。

G-LINK GLT44016 256K X 16 CMOS DYNAMIC RAM WITH EXTENDED DATA OUTPUT

GLT44016 256K x 16 是 G-Link 生产的一款高性能 CMOS 动态随机存取存储器，具有快速访问时间和周期时间、双 CAS 输入、低功耗消耗、读/改/写、RAS 仅刷新、CAS 前刷新、隐藏刷新和测试模式能力、512 个刷新周期 / 8 毫秒，可在 40 针 400 毫米 SOJ 和 40/44 针 TSOP(II) 中使用，单 5.0V±10% 电源供应，所有输入和输出均与 TTL 兼容，支持扩展数据输出 (EDO) 页模式操作。

GSI TECHNOLOGY GS88237AB-250/225/200/166/150/133 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs

GS88237AB是一种9Mb同步突发SRAM，具有高性能和低功耗的特点。它支持单/双周期取消选择，具有IEEE 1149.1 JTAG兼容的边界扫描功能。该产品适用于高性能CPU的二级缓存应用以及DSP主存和网络芯片组支持等同步SRAM应用。

NEL HA-A1370/A1380 Series CMOS Compatible Enable/Disable Data Sheet

HA-A1370/A1380系列石英晶体振荡器提供3态CMOS兼容信号，用于总线连接系统。供电电压为3.3伏，频率范围为0.5MHz至20.0MHz，用户可以指定容差。这些晶体振荡器耐高温，可承受253°C的蒸汽相温度，持续时间为4分钟。HA-A1370/A1380系列采用全金属封装，焊接方式为阻焊焊接，并采用了气密密封。产品还包括绝缘的支架，以增强电路板清洁效果。

HITACHI HD14068B 数据手册

本文件提供了HD14068的规格信息，包括尺寸、重量、技术要求等。

HITACHI HD14075B 数据手册

该文件包含了HD14075的相关信息，包括尺寸、重量、兼容性等。

HARRIS Semiconductor HI-5040 thru HI-5051 HI-5046A and HI-5047A CMOS Analog Switches

Harris Corporation的HI-5040系列CMOS模拟开关提供低阻抗开关性能，用于模拟电压高达电源轨道和信号电流高达80mA。

HITCHI HM5118165 Series 16 M EDO DRAM (1-Mword × 16-bit) 1 k Refresh Data Sheet

HM5118165是Hitachi生产的16M EDO DRAM，采用0.5um CMOS技术，提供50ns/60ns/70ns的访问时间，1024个刷新周期，16ms的刷新时间。

SI IC41C4405x and IC41LV4405x Series Data Sheet

该数据表提供了IC41C4405x和IC41LV4405x系列动态随机存储器的技术细节。该系列器件具有4Mx4位高性能CMOS动态随机存储器。该器件支持快速页模式，允许在单行内进行2048或4096次随机访问，每个4位字的访问周期时间最短为20ns。

lnfineon ICE2AS01/S01G ICE2BS01/S01G Data Sheet

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intersil ICL3207E, ICL3217E Data Sheet

ICL3207E, ICL3217E +/- 15kV ESD Protected, +3V to +5.5V, Low Power, 250kbps, RS-232 Transmitters/Receivers

MAXIM ICL7135 Data Sheet

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ICS ICS853561

ICS85356I 2:1, 差分到3.3V双LVPECL / ECL时钟多路复用器是一款高速差分多路复用器。该器件可以配置为2:1多路复用器。双3.3V LVPECL输出。可选择差分CLKxx、nCLKxx输入。CLKxx、nCLKxx对可以接受以下输入类型：LVPECL、LVDS、LVHSTL、SSTL和HCSL。ICS85356I可以因此用作差分转换器，将几乎任何差分输入类型转换为LVPECL。它还可以通过将VCC设置为0V并将VEE设置为-3.0V至-3.8V来在ECL模式下使用。ICS85356I对输入时钟添加了可忽略的抖动，并且可以以高于900MHz的高频率运行，因此非常适合用于如SONET、Fibre Channel、1千兆/10千兆以太网等苛刻的应用。

IDT IDT54/74FCT16841AT/BT/CT/ET, IDT54/74FCT162841AT/BT/CT/ET 数据手册

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IDT IDT6116SA/IDT6116LA 数据手册

IDT6116SA/LA是IDT公司生产的高性能静态随机存储器，采用CMOS工艺制造，具有快速访问和低功耗特性。该产品具有军用和商业温度范围，并符合MIL-STD-833，Class B标准。

IDT PRELIMINARY IDT70T651/9S 数据手册

这份文件是Integrated Device Technology, Inc. 公司于2003年11月发布的DSC-5632/3的功能块图，包括忙和中断标志、片上端口仲裁逻辑、端口之间信号灯完全硬件支持、端口完全异步操作、独立字节控制、双端口存储单元、高性能和高可靠性等特性。

IDT IDT71V3577S/IDT71V3579S/IDT71V3577SA/IDT71V3579SA 数据手册

IDT71V3577/79 是高性能 SRAM ，组织为 128K x 36/256K x 18。IDT71V3577/79 SRAM 包含写入、数据、地址和控制寄存器。数据输出路径中没有寄存器（流式架构）。内部逻辑允许 SRAM 根据一个可以延迟到写入周期结束的决策生成自定时写入。突发模式功能为系统设计人员提供了最高的性能水平，因为 IDT71V3577/79 可以为向 SRAM 提供的单个地址提供四个数据周期。内部突发地址计数器在突发模式下跟踪地址，以便在突发期间将数据提供给系统。