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EDE1144 Keypad Encoder IC DATA SHEET

EDE1144 是一个 4x4 矩阵键盘编码器 IC，它具有自动键重复、接触去抖动、蜂鸣器反馈、电气静音 (减少 EMI) 键盘扫描、串行/并行输出、数据有效输出信号用于中断激活、2400/9600 串行波特率、18 针 DIP 或 SOIC 封装、与任何微控制器或微处理器接口、成本效益高的 OEM 应用等功能。

CST EF SERIES DATA SHEET(1)

EF系列，高热效率，单封装内置完整的电源控制电路

EVERLIGHT EHP-A07/SUG01-P01 DATA SHEET

本文件是关于EHP-A07/SUG01-P01的技术数据表，它是高功率LED，具有小封装、高效率、120°的视角、45lm@350mA的光通输出、ESD保护、SMT焊接、总光通量、主波长等参数。应用于TFT LCD显示背光、装饰和娱乐照明、信号和符号照明器、导向标志灯以及汽车内外照明。

intersil EL5192, EL5192A Data Sheet

EL5192和EL5192A是带有非常高带宽600MHz的电流反馈放大器。这使得这些放大器非常适用于今天的高速视频和监视器应用。供电电流仅为6mA，并且能够从5V到10V的单电源电压运行，使得这些放大器非常适用于手持、便携或电池供电设备。EL5192A还具有启用和禁用功能，将供电电流降低到每个放大器典型的100µA。漂移CE引脚或施加低逻辑电平将启用放大器。EL5192提供5引脚SOT-23封装，而EL5192A可提供6引脚SOT-23封装以及行业标准的8引脚SO封装。两者均在工业温度范围-40°C至+85°C内工作。

LAN EM39LV088 8M Bits (1Mx8) Flash Memory

EM39LV088是一种8M位(1Mx8)闪存存储器，采用2.7-3.6V电源供电。具有高性能的闪存技术，提供14微秒的字节编程时间和18毫秒的扇区/块擦除时间。具有硬件和软件数据保护机制，耐久性达到100,000次擦写循环，数据保持时间超过10年。

eorx 512Kx8 LP SRAM EM6112K800V Series

EM6112K800V是东芝公司生产的一款低功耗CMOS静态随机存储器，具有4,194,304位容量，组织形式为524,288字x8位。它采用高性能、高可靠性CMOS工艺制造。其待机电流在工作温度范围内稳定。EM6112K800V专为低功耗应用而设计，特别适合电池备份非易失性存储应用。EM6112K800V以单电源2.7V~3.6V供电，所有输入和输出都完全兼容TTL。

Emerging Memory & Logic Solutions Inc EM610FV16 Series Low Power, 64Kx16 SRAM

该数据表是EM610FV16系列低功耗64Kx16 SRAM的数据表，该系列产品采用0.18µm全CMOS工艺，组织结构为64K x 16位，电源电压范围为2.7V~3.6V，低数据保持电压为1.5V(Min.)，封装类型为48-FPBGA 6.0x7.0。

SGS-THOMSON ETC9410 Data Sheet

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Melecis EVB7122 27 to 930MHz Transceiver Evaluation Board Description

该文档介绍了EVB7122 27到930MHz 收发器评估板的特点特性，包括单片解决方案、独立的固定频率用户模式、可编程的多通道用户模式、低电流消耗、PLL-稳定的RF VCO (LO)、锁定检测输出、On-chip AFC、FSK/ASK 模式选择、RSSI 输出、ASK 检测、开关式 LNA 增益、自动 PA 开启、ASK 调制、3wire 总线串行控制接口、EVB 自带一根连接到 PC LPT 端口的电缆、EVB 编程软件可以在 Melexis 网站上获得。

FA7611CP(E)Bipolar IC For Switching Power Supply Control User Manual

FA7611CP(E) 是松下公司生产的开关电源控制芯片，该芯片具有低电压工作（VCC = 3.6 至 22V）、预驱动器（CH1 为开漏输出或双极输出、CH2 为开漏输出）、电源锁定功能、软启动功能，并通过共享一个电容来实现短路保护和软启动功能，从而降低外部分立元件的数量。

FAIRCHILD FDP18N20F FDPF18N20F DATA SHEET

这份文件介绍了Fairchild Semiconductor Corporation生产的FDP18N20F / FDPF18N20F N-Channel MOSFET产品的特点和特性，包括200V的电压、18A的电流、0.145Ω的电阻、低门电荷、快速开关速度、100%的雪崩测试、RoHS合规等。

FAIRCHILD FJN3211R DATA SHEET

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MITSUBISHI FU-653SEA-x2MyyF 1.55 μm EAM/DFB-LD MODULE WITH SINGLEMODE FIBER PIGTAIL

FU-653SEA-x2MyyF 1.55μm EAM/DFB-LD 模块，带单模光纤引线。该模块适用于 10Gb/s 数字光通信系统中作为光源使用。

intel 28F800C3, 28F160C3, 28F320C3, 28F640C3 (x16) k Flash Memory (C3) Datasheet

Intel® Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3)是一种功能丰富的低功耗解决方案，采用Intel的最新0.13µm和0.18µm技术制造。C3设备具有低电压能力（3V读取、编程和擦除）以及高速、低功耗操作。灵活的块锁定允许任何块独立锁定或解锁。通过Intel® Flash Data Integrator (FDI)软件，提供了一种经济、灵活的、单片代码加数据存储解决方案。

national semiconductor 54F/74F191 Up/Down Binary Counter with Preset and Ripple Clock 说明书

TL�F�9495 54F�74F191 Up�Down Binary Counter with Preset and Ripple Clock 是美国National Semiconductor公司生产的一种可逆模数16位二进制计数器，具有同步计数和异步预置功能。该计数器可以用于可编程分频器。计数使能输入、终端计数输出和波动时钟输出使其成为实现多级计数器的多种方法成为可能。计数模式下，状态改变由时钟上升沿触发。该计数器具有125MHz典型计数频率，支持同步计数、异步并行加载和级联。

ASSMANN AK133 2W Data Sheet

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AK170-3 ASSMANN ELECTRONICS

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LG Semicon Co.,Ltd GM71C(S)4400C/CL

GM71C(S)4400C/CL 1,048,576 WORDS x 4BIT CMOS DYNAMIC RAM是韩国三星公司推出的一款新型动态随机存储器，采用先进的CMOS工艺技术，具有更高的密度、更高的性能和各种功能。该产品采用了快速页模式作为高速访问模式，并提供了多路复用地址输入，可在标准300mil 20(26)引脚塑料SOJ和标准300mil 20(26)引脚塑料TSOP II封装中使用。该产品的封装尺寸提供了更高的系统位密度，并且与广泛可用的自动测试和插入设备兼容。该产品还具有单电源供电(5V+/-10%)、与Schottky TTL等高性能逻辑系列直接接口的功能。

ASSMANN AK125-2-R Data Sheet

This is a technical document that describes the features and characteristics of the 'Panasonic TOUGHBOOK CF-R8' computer. It is a rugged laptop that is designed for use in harsh environments.

CML 1050QN, 1052QN Series Non-Relampable Neon Indicator Light

1050QN, 1052QN系列不可更换灯泡的霓虹灯指示灯