National Semiconductor LM95221 Dual Remote Diode Digital Temperature Sensor with SMBus Interface 数据手册 LM95221是德州仪器生产的一款数字温度传感器，采用SMBus2.0接口，可检测三个温度区，包括其自身温度和两个二极管连接的电晶体温度。该传感器的二极管连接电晶体可以是奔腾和AMD处理器中的热二极管，也可以是MMBT3904二极管连接电晶体。LM95221的远程温度读数分辨率格式可以被编程为10位正负号或11位无符号。在无符号模式下，LM95221的远程二极管读数可以解析超过127℃的温度。本地温度读数的分辨率为9位正负号。只要目标芯片上有专用二极管（半导体结），就可以使用LM95221精确地测量任何ASIC的温度。LM95221远程传感器精度为±1℃，在2.7欧姆的电阻和1.008非理想因子下出厂调校。
National Semiconductor LMC7221 Tiny CMOS Comparator with Rail-To-Rail Input and Open Drain Output 数据手册 LMC7221 是微功耗 CMOS 比较器，可在空间节省的 SOT23-5 封装中使用。这使得此比较器非常适合空间和重量关键设计。LMC7221 还提供常规 DIP 和 SO-8 封装。LMC7221 提供两种偏置电压等级，5 mV 和 15 mV。开漏输出可以用电阻拉到高于或低于电源电压的电压，这使得该器件适用于混合电压系统。对于具有推拉输出的微型比较器，请参见 LMC7211 数据表。
TEXAS INSTRUMENTS LMV321 SINGLE, LMV358 DUAL, LMV324 QUAD LOW-VOLTAGE RAIL-TO-RAIL OUTPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS数据手册 LMV321是单通道，低电压，轨对轨输出运算放大器,LMV324是双通道，低电压，轨对轨输出运算放大器,LMV358是四通道，低电压，轨对轨输出运算放大器.
panasonic PANEL DISPLAY UNITS 128 × 64 mm φ 3 mm 32 × 16 Dots LNP173023 该文件介绍了365 PANEL DISPLAY UNITS的主要规格和参数，包括时钟频率、电源电压、输入电压、工作温度等。同时也提供了显示颜色、点阵直径、点阵间距、点阵总数等产品特性信息。
National Semiconductor LP2981 Micropower 100 mA Ultra Low-Dropout Regulator 数据手册 LP2981 微功率 100 mA 超低压降稳压器
National Semiconductor LP3961/LP3964 800mA Fast Ultra Low Dropout Linear Regulators 数据手册 LP3961/LP3964系列快速超低压差线性稳压器工作电压范围为+2.5V至+7.0V，可提供多种预设输出电压选项。这些超低压差线性稳压器响应负载变化非常迅速，因此非常适合低电压微处理器应用。LP3961/LP3964采用CMOS工艺制造，可独立于输出负载电流实现低静态电流运行。该CMOS工艺还允许LP3961/LP3964在极低压差条件下运行。
NATIONAL SEMICONDUCTOR LP3985 数据手册(1) LP3985是设计用于便携式和无线应用的微功率、150mA低噪声超低压降CMOS电压调节器。它具有极低的噪声、非常低的压降和低静态电流，适合电池供电系统使用。LP3985稳定性高，只需1µF ±30%的陶瓷电容或高品质的钽电容即可。微型SMD尺寸极小，占PCB面积最小，应用电路总面积小于2.0mm x 2.5mm，仅为1206尺寸的1/3。可选的外部旁路电容可以降低输出噪声，而不影响负载瞬态响应。通过使用内部电源开启电路，可以主动预充旁路电容，从而实现快速启动时间。在低频时，电源抑制比优于50 dB，并在1kHz时开始下降。电源抑制比在电池供电电路常见的低输入电压水平下保持较高。该器件非常适用于移动电话和类似的电池供电无线应用。它可以提供高达150 mA电流，输入电压范围为2.5V至6V。LP3985在禁用模式下消耗电流小于1.5µA，开启时间小于200µs。LP3985有5个小凸点的微型SMD、5个大凸点的微型SMD和5个薄的微型SMD封装。
LINEAR LT1794 说明书 该文档介绍了LT1794双500mA，200MHz xDSL线路驱动器放大器，它满足了全速下行ADSL线路驱动器的所有要求。该器件具有±500mA的最低输出电流，±11.1V的输出摆幅，VS = ±12V，RL = 100Ω，±10.9V的输出摆幅，VS = ±12V，IL = 250mA，低失真：-82dBc@1MHz，2VP-P输入50Ω，功率节省的可调电源电流，功率增强的紧凑型封装：20引脚TSSOP和20引脚SW，200MHz增益带宽，500V/µS斜率，在±15V、±12V和±5V指定，高密度ADSL中央办公室线路驱动器，高效ADSL、HDSL2、G.lite、SHDSL线路驱动器，缓冲器，测试设备放大器，电缆驱动器。
LINEAR LT3710 说明书 LT3710是高效的降压开关电源，用于单二级绕组、多输出电源的辅助输出。LT3710驱动双同步N通道MOSFET，实现高效率。通过领先边缘调制，它可以很好地工作在主侧峰值电流或电压模式控制。它与变压器次级绕组的下降沿同步，可用于单端和双端隔离电源转换器拓扑。集成了高速运算放大器，实现最佳补偿和快速瞬态响应。用户可选的间歇性导通模式可提高轻负载效率。LT3710采用具有散热增强功能的TSSOP-16裸露焊盘功率封装。
lnternational IOR Rectifier IRF1010E 数据手册 IRF1010E HEXFET® Power MOSFET是国际整流器推出的一款高性能功率MOSFET器件，具有极低的导通电阻、高开关速度和耐高温特性。
ST M27W512 Data Sheet M27W512是512Kbit (64K x8)低电压UV EPROM和OTP EPROM。产品特点包括2.7到3.6V的供电电压、70ns到80ns的访问时间、15µA到15mA的电流消耗、100µs/byte的编程时间、2000V的ESD保护和200mA的Latchup保护免疫性。产品提供28脚DIP、28脚PDIP、32脚PLCC和28脚TSOP等多种封装。
ST M28F101 说明书 M28F101 1 Mb (128K x 8, Chip Erase) FLASH MEMORY 是东芝公司的一款非易失性存储器，具有5V ±10% 电源电压、12V 编程电压、70ns 快速访问时间、10µs 典型字节编程时间、1s 范围的低功耗，以及 10,000 次擦除/编程周期等特点。
lnternational IOR Rectifier IRF1010N HEXFET Power MOSFET 数据手册 IRF1010N HEXFET® Power MOSFET 是 International Rectifier 的一种高性能 55 V 低电阻 MOSFET，具有极低的导通电阻、快速开关速度和坚固的设计，适用于广泛的应用场合。
