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FUJITSU 2SA 1080 说明书

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2SA1083, 2SA1084, 2SA1085是硅PNP外延型晶体管，适用于低频低噪声放大器。与2SC2545, 2SC2546和2SC2547互补搭配使用。

2SA1083、2SA1084和2SA1085是硅PNP外延应用晶体管，适用于低频低噪声放大器和与2SC2545、2SC2546和2SC2547互补配对。

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2SA1093是一种功率放大器，可以用作音频功率放大器，也可以用作高电压场效应晶体管。

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2SA1102是PNP型号的硅晶体管，该晶体管具有很高的电流和功率耗散能力，并且是2SC2577的互补品。

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本文介绍了一种硅PNP高频、高功率晶体管，主要用于音频和通用用途。它具有较高的集电极-发射极电压峰值值和集电极-发射极饱和电压，适用于高功率应用。

该文件介绍了2SA1105 PNP平面硅晶体管的特点特性，包括高电流能力、高功率耗散和与2SC2577互补。还列出了绝对最大额定值和电性能参数。

2SA1106是PNP结构的硅晶体管，常用于音频功率放大器、DC/DC转换器中。

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该文件介绍了2SA1121硅PNP外延应用，是一款低频放大器，与2SC2618互补配对使用。文档中详细列出了2SA1121的绝对最大额定值和电气特性。

2SA1122 是 NXP 公司生产的一款低频放大器，其最大集电极电压为 -55V，最大集电极-发射极电压为 -55V，最大发射极-基极电压为 -5V，最大集电流为 -100mA，最大集电极功耗为 150mW，结温为 150 °C，储存温度为 -55 到 +150 °C。

2SA1123是由日本东芝公司生产的NPN型硅晶体三极管，适用于低频高击穿电压放大，是2SC2631的互补管。它具有良好的正向电流传输比hFE、集电极电流IC特性，高集电极至发射极电压VCEO，小集电极输出电容Cob等特点。

2SA1128是硅PNP结型晶体管，适合低频输出放大。该晶体管具有低集电极到发射极饱和电压VCE(sat)和低电压工作能力，适合在转换电路中使用。

2SA1129是一种用于中速开关的模具功率晶体管，适用于作为斜坡驱动器使用。具有大电流能力和小封装体积。