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KEMET CERAMIC LEADED CAPACITORS(1)

本手册介绍了Ceramic Leaded Capacitors产品线的产品详细信息，包括规格、尺寸、标记等。

Crystek crystals corporation CVXO-014S & 014 Models 8 & 14 Pin Dip, 5V, HCMOS/TTL Voltage Controlled Crystal Oscillator

该数据表格为Crystek CVXO-014S & 014系列产品的规格参数信息，包括频率范围、频率稳定度、温度范围、存储条件、输入电压、控制电压、输入电流、输出、对称性、上升/下降时间、控制范围、输出电压、负载、线性度等信息。

KEMET Tantalum Chip Capacitors Performance, High Temperature 175 °C Series/Type: B45196T, B45198T Date: July 2006

该文件主要介绍了B45196T, B45198T系列钽电容器的产品特性，包括工作温度、可靠性、体积效率、焊接性、自感等。

IDT 256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT™ SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs IDT71V65602 IDT71V65802

IDT71V65602/5802是3.3V高性能9,437,184位（9兆位）同步SRAM，采用ZBTTM技术，可消除读写或写读之间死锁周期。

bel HIGH-SPEED 4 PIN SIP PASSIVE DELAY MODULES(1)

本文件是关于Bel Fuse Inc. 30 系列4引脚SIP被动延时模块的技术规格。

DALLAS DS1702K 2-Wire Thermal Device Evaluation Kit 数据手册

DS1702K是5个软件包的集合，包括DS1721K、DS1624K、DS1629K、DS75K，支持Windows 95、Windows 98、Windows NT操作系统，可以读写DS1621、DS1721、DS1624、DS1629、DS75设备的所有寄存器，测量温度范围-55°C到+125°C，提供华氏和摄氏度温度读数和绘图功能。

RENESAS HAT2137H Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching

HAT2137H是RENESAS推出的一款N沟道功率MOSFET，具有7V门极驱动、低驱动电流、高密度安装、低导通电阻（RDS（on）= 3.8 mΩ）等特点

Agilent T-1 3 /4 (5 mm), T-1 (3 mm), High Intensity, Double Heterojunction AlGaAs Red LED Lamps Data Sheet(1)

该数据表提供了Agilent T-13/4 (5 mm), T-1 (3 mm), High Intensity, Double Heterojunction AlGaAs Red LED Lamps的详细信息，包括产品特点、应用场景等。

VI TELEFILTER Filter specification TFS 35 B 1/5

本文档为TFS 35B滤波器的技术参数说明书，主要包括测量条件、特性参数、插入损耗、额定频率、中心频率、通带、幅度抖动、带宽、相对衰减等信息

GENERAL SEMICONDUCTOR BAV19W THRU BAV21W 数据手册

BAV19W THRU BAV21W是德州仪器生产的一款小信号二极管产品，主要特性为反向电压为120V-250V，最大正向电流为250mA，最高工作温度为150℃。

TEXAS INSTRUMENTS TMS320C6713, TMS320C6713B FLOATING-POINT DIGITAL SIGNAL PROCESSORS 数据手册

TMS320C6713是德州仪器的最高性能浮点数数字信号处理器(DSP)，其指令字宽为32位，数据宽度为32/64位，时钟频率为300-, 225-, 200-MHz (GDP), 和200-, 167-MHz (PYP)。该芯片具有8个32位指令/周期、丰富的外设集、优化的C/C++编译器以及先进的VLIW DSP核心。

Microsemi TECHNICAL DATA NPN SILICON MEDIUM POWER TRANSISTOR 2N1483 2N1484 2N1485 2N1486

2N1483, 2N1484, 2N1485, 2N1486是一系列NPN硅中功率晶体管，额定集电极-发射极电压为40V，集电极-发射极击穿电压为55V，集电极-基极电压为60V，发射极-基极电压为12V，集电流为3.0A，总功耗为1.75W和25W。

intersil ISL84521, ISL84522, ISL84523 数据手册

ISL84521, ISL84522, ISL84523 低压单双电源四路开关

Transcend Transcend Compact Card Reader P/N:TS-RDS1/S2/S5/S6 User’s Manual

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ON Semiconductor 1N6373 − 1N6381 Series (ICTE−5 − ICTE−36, MPTE−5 − MPTE−45) 数据手册

1500瓦峰值功率莫斯伯尔®齐纳瞬态电压抑制器单向*

ST NAND128-A, NAND256-A NAND512-A, NAND01G-A 数据手册

该文件介绍了一系列高密度NAND闪存产品的特点和特性，包括存储容量、供电电压、页面大小、块大小、读写速度等。

TEXAS INSTRUMENTS 54AC16822, 54ACT16822 74AC16822, 74ACT16822 20-BIT D-TYPE FLIP-FLOPS WITH 3-STATE OUTPUTS 数据手册

该文件介绍了一种具有3态输出的20位D型触发器，采用了Widebus系列技术，具有TTL或CMOS电压兼容的输入，适用于高速布局和抗干扰。产品由两个10位部分组成，具有独立的控制信号。

National Semiconductor DS90LV017A LVDS Single High Speed Differential Driver 数据手册

DS90LV017A是National Semiconductor公司生产的一种单LVDS驱动器设备，其主要特点是支持数据速率超过600Mbps（300MHz），同时具有低功耗特性。该设备采用8引脚小型外形封装，具有流线型设计，便于PCB布局。

ANALOG DEVICES AD2700/AD2701/AD2702 数据手册

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IDT IDT71V35761S Data Sheet

IDT71V35761/781是高性能的128K x 36/256K x 18存储器。内置逻辑允许SRAM根据一个可在写周期结束时做出的决定生成自定时写入。突发模式功能为系统设计人员提供了最高水平的性能，因为IDT71V35761/781可以为SRAM提供呈现给SRAM的单个地址的四个数据周期。内部突发地址计数器接受处理器发送的第一个周期地址，开始访问序列。第一个周期的输出数据将在下一个上升时钟边沿可用之前经过一个周期的流水线。如果突发模式操作被启用，则每个额外的周期都会在随后的两个上升时钟边沿提供数据。