ST TDA2009A 10 +10W STEREO AMPLIFIER 说明书 TDA2009A 是鼎好电子生产的一款 AB 类双声道高保真音频功放芯片，最大输出功率可达 10 + 10W，最高输出电流 3.5A，具备 AC 短路保护和过热保护功能。
ST TDA2008 12W AUDIO AMPLIFIER (Vs = 22V, RL = 4Ω) 说明书(1)(1) TDA2008是一款单片B类音频功率放大器，适用于驱动低阻抗负载。该设备具有高输出电流能力，极低的谐波和交叉失真。此外，该设备还具有很多特点，如少量外部组件、易于组装、节省空间和成本、高可靠性、灵活可用、热保护。
ST TDA2008 12W AUDIO AMPLIFIER (Vs = 22V, RL = 4Ω) 说明书(1) TDA2008是德州仪器（TI）生产的一款12W音频功放器件，工作电压为22V，额定负载电阻为4欧姆。该器件采用Pentawatt封装，具有极低的谐波和交叉失真，非常适合驱动低阻抗负载。此外，该器件还具有以下特点：外围元件数量极少、易于安装、节省空间和成本、高可靠性、使用灵活性和热保护功能。
ST TDA2 0 07A May 1991 6 + 6W STEREO AMPLIFIER 说明书(1)(1) TDA2007A 是鼎好推出的一款 6 + 6W 的立体声功放，采用 SIP9 封装，具有高输出功率、高电流能力、AC 短路保护和热保护等特点，适用于音乐中心、电视机接收器和便携式收音机等场合。
ST TDA2 0 07A May 1991 6 + 6W STEREO AMPLIFIER 说明书(1) TDA2007A是一款高输出功率、高电流能力的AB类双声道音频功放芯片，适用于音乐中心、电视接收器和便携式收音机的立体声应用。
infineon SPP11N60C3 SPI11N60C3, SPA11N60C3 Cool MOS Power Transistor 说明书 该产品是鼎好公司的一款高压功率晶体管，最大电压为650V，电流为11A。特点是新一代革命性高压技术，超低栅极电荷，周期性雪崩额定，极端dv/dt额定，高峰电流能力，改进的传导率。
infineon SPA11N60CFD CoolMOS Power Transistor 说明书(1)(1) SPA11N60CFD酷特摩斯功率晶体管，具有极低的反向恢复电荷和超低的栅极电荷，具有极高的dv/dt额定值，并且具有高峰值电流能力和周期性雪崩额定值。
infineon SPA11N60CFD CoolMOS Power Transistor 说明书(1) SPA11N60CFD是新款高压功率晶体管，具有内置快速恢复二极管、极低反向恢复电荷、超低栅极电荷、极端dv/dt额定值、高峰值电流能力、周期性雪崩额定值等特点。
infineon SPP11N65C3, SPA11N65C3 SPI11N65C3 Cool MOS Power Transistor 说明书 SPP11N65C3, SPA11N65C3 SPI11N65C3 Cool MOS™ 功率晶体管，具有 650 V 的 VDS、0.38 的 RDS(on) 和 11 A 的 ID。其特点是新的革命性高压技术、超低栅极电荷、周期性雪崩额定、极端 dv/dt 额定、高峰值电流能力和改进的传导率。
infineon SPP11N80C3 SPA11N80C3 Cool MOS Power Transistor 说明书 该产品是一款高压功率晶体管，最大电压为800V，最大电流为11A。产品具有超低门极电荷、周期性雪崩额定、极限dv/dt额定、超低有效电容和改进的转移特性等特点。
STANFORO MICRODECIVES SPA-1218 1960 MHz 1 Watt Power Amp with Active Bias 说明书 SPA-1218是斯坦福微设备公司生产的一款1960MHz 1瓦功率放大器。该器件采用高可靠性GaAs HBT技术，具有高线性度性能，最高可达到+48dBm OIP3。SPA-1218采用低成本的表面贴装塑料封装，适用于PCS系统和多载波应用。
SIRENZA SPA-1218 1960 MHz 1 Watt Power Amplifier with Active Bias 说明书 该文档介绍了Sirenza Microdevices公司的SPA-1218功率放大器，该产品具有高线性性能和可靠性，适用于PCS系统和多载波应用。
STANFORO MICRODECIVES SPA-1218 1960 MHz 1 Watt Power Amp with Active Bias 说明书(1) SPA-1218 1960 MHz 1 Watt Power Amp with Active Bias 是 Stanford Microdevices 公司推出的一款高效率 GaAs 异质结双极晶体管 (HBT) 放大器，采用低成本的表面安装塑料封装。
infineon SPP12N50C3, SPB12N50C3 SPI12N50C3, SPA12N50C3 Cool MOS Power Transistor 说明书(1)(1) SPP12N50C3, SPB12N50C3 SPI12N50C3, SPA12N50C3 是一款新型高压MOS功率晶体管，具有极低的门控电荷、周期性雪崩额定、极限dv/dt额定、极低的有效电容和改进的传导率。
infineon SPP12N50C3, SPB12N50C3 SPI12N50C3, SPA12N50C3 Cool MOS Power Transistor 说明书(1) 该文件介绍了SPP12N50C3、SPB12N50C3、SPI12N50C3和SPA12N50C3四种型号的Cool MOS™功率晶体管的特点，包括新的高压技术、超低栅极电荷、周期性雪崩耐受能力、极端的dv/dt耐受能力、超低有效电容、改进的跨导以及不同封装类型和标记。还列出了各种型号的最大额定值，如连续漏极电流、脉冲漏极电流、雪崩能量等。
STANFORO MICRODECIVES SPA-1318 2150 MHz 1 Watt Power Amplifier with Active Bias 说明书(1)(1) SPA-1318是Stanford Microdevices生产的一款功率放大器，具有高效率、高可靠性和高线性度等特点。
SIRENZA SPA-1318 2150 MHz 1 Watt Power Amplifier with Active Bias 说明书 该文档介绍了Sirenza Microdevices的SPA-1318产品，该产品是一种高效率GaAs HBT放大器，具有高线性性能和可降低功耗的特点。适用于W-CDMA系统和多载波应用。
