SAMSUNG K4S643233F-S(D)E/N/I/P 数据手册(1) K4S643233F-S(D)E/N/I/P 是一款由三星公司生产的2Mx32 SDRAM 内存，工作电压为3.0V / 3.0V 或3.3V / 3.3V，采用90FBGA封装。
SAMSUNG K4S643233H - F(H)E/N/G/C/L/F 数据手册(1)(1) K4S643233H是三星公司生产的同步高数据速率动态随机存取存储器，其存储容量为67,108,864位，组织形式为4 x 524,288 words by 32 bits，采用三星高性能CMOS技术制造。该存储器支持3.0V和3.3V电源供电，可在-25℃~70℃和-25℃~85℃的商业温度和扩展温度范围内工作。
SAMSUNG K4S643233H - F(H)E/N/G/C/L/F 数据手册(1) K4S643233H是由三星公司生产的一款高性能的同步动态随机存储器（SDRAM），可在-25°C至85°C的温度范围内工作。该器件具有多种可编程的特性，如操作频率、突发长度和延迟，可用于各种高带宽和高性能内存系统应用。
TCL 手机 3188C 用户手册 本文件是TCL 3188C手机的使用手册，介绍了手机的基本功能和操作方法，包括SIM卡管理、通话、短信、彩信、GPRS上网、WAP上网、电话本、闹钟、计算器、日历、备忘录、STK、安全设置等内容。
三星 K4S511632M CMOS SDRAM 说明书(1) K4S511632M是536,870,912位同步高速动态内存，由4 x 8,388,608字节x 16位组成，采用SAMSUNG的高性能CMOS技术制造。
三星 K4S511633C-YL/N/P CMOS SDRAM 说明书 K4S511633C-YL/N/P是3.0V电源的32Mx16 54CSP 1/CS (VDD/VDDQ 3.0V/3.0V或3.3V/3.3V)移动SDRAM，采用三星高性能CMOS技术制造。同步设计允许精确的周期控制，具有四个银行操作、MRS周期与地址键程序、突发长度、突发类型和所有输入在系统时钟的正向边缘采样等特性。
三星 K4S511633C-YL/N/P CMOS SDRAM 说明书(1) K4S511633C-YL/N/P是一款32Mx16 54CSP 1/CS (VDD/VDDQ 3.0V/3.0V or 3.3V/3.3V) Mobile SDRAM，采用3.0V电源供电，LVCMOS兼容多路复用地址，支持四路银行操作，MRS周期带有地址键编程。
altek A14 LEO 用户手册 本手册介绍了altek A14 LEO的安全使用说明，包括电气安全、正确接地安装的安全注意事项、电源装置的安全注意事项、手机操作温度的安全注意事项、防止听力损伤、飞行安全。
三星 K4S511633F-Y(P)C/L/F Mobile-SDRAM 说明书(1)(1) K4S511633F是三星生产的高性能CMOS动态随机存储器，采用同步设计，可实现精确的时序控制，并支持多种高带宽、高性能内存系统应用。该器件具有多种操作频率、可编程突发长度和可编程延迟，可在各种应用中使用。
三星 K4S511633F-Y(P)C/L/F Mobile-SDRAM 说明书(1) K4S511633F-Y(P)C/L/F 是由三星公司制造的536,870,912 位同步高速数据率动态随机存储器，组织为 4 x 8,388,608 字节，由 16 位组成。该器件具有高频率、可编程突发长度和可编程延迟，可用于各种高带宽、高性能存储系统应用。
三星 K4S51153LF - Y(P)C/L/F Mobile SDRAM 说明书 K4S51153LF是一种移动SDRAM，具有2.5V/2.5V或2.5V/1.8V的电压，适用于LVCMOS和多路复用地址。具有四个存储区，支持MRS和EMRS循环程序，并具有特殊功能支持。该产品具有部分阵列自刷新和温度补偿自刷新功能，还支持掩码和自动刷新等特性。
三星 K4S51163PF-Y(P)F Mobile-SDRAM 说明书(1)(1) K4S51163PF是一款由三星生产的高性能动态随机存储器，采用同步设计，可以通过系统时钟精确控制周期，并可以在每个时钟周期进行I/O事务。该产品的频率范围、可编程突发长度和可编程延迟使其能够用于各种高带宽和高性能内存系统应用。
三星 K4S51163PF-Y(P)F Mobile-SDRAM 说明书(1) K4S51163PF-Y(P)F是三星公司生产的一款同步高数据速率动态内存，组织方式为4 x 8,388,608 words by 16 bits，带有可编程突发长度和可编程延迟，适用于各种高带宽和高性能内存系统应用。
