ST说明书大全

ST 405Q-600 说明书

该文档介绍了T405Q-600系列4象限可控硅的参数值和特性,主要用于灌溉系统等需求高浪涌电流能力的通用应用。

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ST STP7NK40Z STP7NK40ZFP STD7NK40Z STD7NK40Z-1 说明书

ST STP7NK40Z系列高压MOSFET,额定电压400V,额定电流5.4A,最小导通电阻0.85Ω,工作频率高,适用于开关电源、适配器、PFC等应用。

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ST STB30NF10 STP30NF10 STP30NF10FP 说明书

STMicroelectronis 的 STB30NF10 是一款 N 通道 100V - 0.038 Ω - 35A TO-220/TO-220FP/D2PAK 低栅极电荷 STripFET™ II 功率 MOSFET,具有典型 RDS(on) = 0.038 Ω、出色的 dv/dt 能力、100% 雪崩测试和应用导向的特性。它适用于高效率 DC-DC 转换器和 UPS 和电机控制应用。

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ST M74HC367 说明书

该文件是M74HC367的datasheet

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ST M28W640FCT/M28W640FCB 使用手册

该文件介绍了M28W640FCT和M28W640FCB两种型号的64 Mbit闪存产品的特点和特性。

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ST STC03DE220HV 说明书

STC03DE220HV是一种高压三相应用的ESBT 开关二极管,具有低等效导通电阻、极快的开关速度和低CISS特性。

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ST M29F080D 说明书

M29F080D 8 Mbit (1Mb x8, Uniform Block) 5V Supply Flash Memory 是Macronix的一种产品,具有以下特点:供应电压为5V ±10%,读写操作时电压范围为5V,访问时间为55、70、90ns,编程时间为10µs,有16个64Kbyte的存储块,有嵌入式字节编程算法,支持擦除暂停和恢复模式,支持解锁旁路编程命令,支持暂时性块解保护模式,支持公共闪存接口,有64位安全代码,低功耗,支持待机和自动待机,支持100,000次编程/擦除周期,电子签名包含制造商代码和设备代码。

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ST uPSD3234A, uPSD3234BV uPSD3233B, uPSD3233BV 说明书

该文档介绍了uPSD3234A和uPSD3234BV两款Flash可编程系统设备的特点和特性。这些设备具有快速的8位8032微控制器核心、双闪存存储器、时钟、复位和供电管理、可编程逻辑、通信接口、A/D转换器、定时器和中断等功能。

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ST TDA2050 说明书(1)

TDA2050 是德州仪器公司生产的一款音频功率放大器。该芯片采用 Pentawatt 封装,具有高功率输出(50W 音乐功率 IEC 268.3 规则)、高工作电压(50V)、单电源或分立电源供电、极低失真、短路保护(输出到 GND)和热关断功能。

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ST TDA2050 说明书(1)(1)

TDA2050是鼎好电子销售的一款音频功率放大器,额定输出功率高达50W,工作电压范围宽,支持单电源或双电源供电,失真度低,具有短路保护和热关断功能。

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ST BTA12/BTB12/T12xx 说明书

该文档介绍了BTA12、BTB12和T12xx系列三极管的特点和特性,包括中等电流、低热阻、高通断能力和绝缘陶瓷等。这些三极管适用于静态继电器、灯光调光器和电器马达速度控制器等应用。

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ST LM124W/LM224W/LM324W Low Power Quad Operational Amplifiers 说明书

该文档介绍了LM124W-LM224W-LM324W低功耗四运算放大器的特点和特性,包括宽增益带宽、输入共模电压范围、大电压增益、低功耗以及宽电源范围等。

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ST STP6NB90/STP6NB90FP 说明书

STP6NB90/STP6NB90FP 是 STMicroelectronics 公司设计的一款高性能 N 沟道 900V 功率 MOSFET,具有典型 RDS(on) = 1.7 欧姆、极高 dv/dt 能力、 100% 雪崩测试、极低固有电容和最小化栅极电荷等特点。该器件可用于高电流、高速度开关、开关模式电源 (SMPS)、焊接设备的 DC-AC 转换器、不间断电源和电机驱动等应用。

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ST STP6NB80/STP6NB80FP 说明书(1)

STP6NB80是STMicroelectronics生产的一款N沟道功率MOSFET,其最大导通电阻为1.6欧姆,最大电压为800V,最大电流为5.7A,应用于高频高压开关、SMPS、DC-AC变换器、焊接设备和UPS等。

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ST STP6NB80/STP6NB80FP 说明书(1)(1)

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ST STP6NB50/STP6NB50FP 说明书(1)

STP6NB50/STP6NB50FP是SGS-Thomson公司推出的N沟道增强型MOSFET,采用Mesh Overlay工艺,具有极低的导通电阻、极高的dv/dt能力、极低的内阻和开关特性,适用于高电流、高开关速度的应用场合,如开关电源、焊接设备等

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ST STP6NB50/STP6NB50FP 说明书(1)(1)

该文件介绍了STP6NB50和STP6NB50FP N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET的特点特性,包括低RDS(on),极高的dv/dt能力,100%的雪崩测试,极低的内在电容和最小化的栅极电荷。

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ST STP6NB25/STP6NB25FP 说明书(1)

该文档介绍了STMicroelectronics生产的STP6NB25和STP6NB25FP型号的功率MOSFET产品的特点和性能。这些产品采用最新的高压MESH OVERLAY工艺,具有极高的dv/dt能力,100%的雪崩测试,非常低的内在电容和最小化的门电荷。适用于高电流、高速开关、UPS、电信、工业和消费电子等领域。

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ST STP6NB25/STP6NB25FP 说明书

STP6NB25是STMicroelectronics生产的一款N沟道MOSFET,其特点是RDS(on)只有0.9欧姆,dv/dt能力极高,可用于高电流、高频率开关应用,如UPS电源、DC-DC&DC-AC转换器等。

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ST STB75NF75/STP75NF75/STP75NF75FP 说明书(1)

该数据手册介绍了STMicroelectronics独有的STripFET™工艺制造的STB75NF75,STP75NF75和STP75NF75FP N通道功率MOSFET系列产品的特性。该系列产品具有出色的dv/dt能力和100%的雪崩测试,专为实现低输入电容和栅极电荷而设计,因此非常适合用作电信和计算机应用中高效率、高频隔离DC-DC转换器的主开关。该产品还适用于任何对栅极驱动要求低的应用。

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