ST说明书大全

介绍了M24C16, M24C08, M24C04, M24C02, M24C01 16Kbit, 8Kbit, 4Kbit, 2Kbit和1Kbit Serial I²C Bus EEPROM的特点特性，包括两线I²C串行接口、支持400kHz协议、单电源电压、写控制输入、字节和页写（最多16字节）、随机和顺序读模式、自定时编程周期、自动地址递增、增强的ESD/Latch-Up保护、超过100万次擦写/写次数、超过40年的存储数据保持时间等

文件类型: PDF 大小:376 KB

M68AF127B 是一款 128K x 8 位 SRAM，具有 OUTPUT ENABLE，供电电压为 4.5 至 5.5V，时钟周期和访问时间均为 55ns，待机电流低，VCC 数据保留电压为 2V，I/O 为 TRI-STATE COMMON，工作电流和待机电流低。

文件类型: PDF 大小:141 KB

M29W160ET M29W160EB 16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory提供了16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block)的3V供电Flash Memory。它具有2.7V到3.6V的供电电压，70，90ns的访问时间，10µs每字节/字的典型编程时间，35个存储块，1个引导块（顶部或底部位置），2个参数和32个主块，嵌入式字节/字编程算法的编程/擦除控制器，擦除挂起和恢复模式（读取并编程另一个块期间擦除挂起），解锁绕过编程命令（更快的生产/批量编程），临时块非保护模式，64位安全码的常用闪存接口，待机和自动待机，100,000个编程/擦除周期/块，电子签名制造商代码：0020h，顶部设备代码M29W160ET：22C4h，底部设备代码M29W160EB：2249h。

文件类型: PDF 大小:231 KB

M54HC137是M74HC137是具有高速度、低功耗特点的3至8线解码器/锁存器，可与54/74LS137兼容。

文件类型: PDF 大小:256 KB

M54HC42/M74HC42是高性能CMOS BCD-TO-DECIMAL DECODER，具有LSTTL的高速性能和CMOS低功耗的特点。

文件类型: PDF 大小:238 KB

M27C800是8Mbit的EPROM，提供UV（紫外线擦除）和OTP（一次性可编程）两种类型。它非常适合需要大量数据或程序存储的微处理器系统。它可以组织为1 Mwords的8位或512 Kwords的16位。引脚兼容最常见的8Mbit Mask ROM。FDIP42W（带窗口陶瓷烧结封装）有一个透明盖，允许用户通过暴露芯片于紫外线来擦除位模式。然后可以通过遵循编程过程将新的模式快速写入设备。对于内容仅编程一次且不需要擦除的应用，M27C800提供PDIP42、PLCC44和SO44封装。

文件类型: PDF 大小:163 KB

L2720D是低压双电源运算放大器，输出电流可达1A，工作在单电源或分立电源，能满足广泛的应用场合，如伺服放大器和电源等。其特点是输入偏置电压低，输入范围大，输出电压低，具有热关断和钳位二极管。

文件类型: PDF 大小:140 KB

1

文件类型: PDF 大小:1094 KB

M29F400T/M29F400B是东芝公司的一款4Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) Single Supply Flash Memory，主要特性包括5V±10% SUPPLY VOLTAGE for PROGRAM, ERASE and READOPERATIONS、FAST ACCESS TIME: 55ns、FAST PROGRAMMING TIME – 10µs by Byte / 16µs by Word typical等。

文件类型: PDF 大小:232 KB

PSD935G2是一款可配置的存储系统芯片，包含高达4Mbit的主存储器、256Kbit的二次存储器、64Kbit的SRAM、3,000余个门的PLD、52个可重构I/O口、增强的JTAG串行端口、可编程电源管理等功能。

文件类型: PDF 大小:489 KB

本文件介绍了M95320和M95640 32Kbit和64Kbit Serial SPI Bus EEPROMs With High Speed Clock产品的特点特性，包括兼容SPI Bus Serial Interface、单电源电压、20MHz、10MHz、5MHz或2MHz clock rates、5ms或10ms Write Time、Status Register、Hardware Protection of the Status Register、BYTE和PAGE WRITE、Self-Timed Programming Cycle、Adjustable Size Read-Only EEPROM Area、Enhanced ESD Protection、More than 100000 or 1 million Erase/Write Cycles、More than 40-Year Data Retention等。

文件类型: PDF 大小:226 KB

74V1G05是74系列的单一开漏型反相器，具有高速度、低功耗、高噪声抑制、开漏输出、供电范围宽、带有掉电保护功能等特性。

文件类型: PDF 大小:50 KB

74LVC373A是低电压CMOS8位D型锁存器，采用超微硅栅和双层金属布线C2MOS技术制造，适用于1.65至3.6VCC操作和低功耗低噪声应用。这些8位D型锁存器由使能锁存输入(LE)和输出使能输入(OE)控制。当LE输入保持在高电平时，Q输出将准确或相反地跟随数据输入。当LE被拉低时，Q输出将在D输入数据的逻辑电平处准确或相反地锁定。当(OE)输入低时，8个输出将处于正常逻辑状态(高或低逻辑电平)，而高电平时输出将处于高阻状态。该器件旨在直接将高速CMOS系统与TTL和NMOS组件进行接口。它在3.3V时比5V AC/ACT系列具有更高的速度性能，同时具有更低的功耗。所有输入都配有保护电路

文件类型: PDF 大小:76 KB

该文档介绍了M29F800DT和M29F800DB 8 Mbit闪存的特点和特性，包括供电电压、访问时间、编程时间、内存块、编程/擦除控制器等。

文件类型: PDF 大小:623 KB

TSM104/A是四通道运放和可调电压参考，采用单片集成电路，可在许多应用场合节省空间和成本，如电源管理或数据采集系统

文件类型: PDF 大小:161 KB

LD1085xx是一款低压差正电压可调节稳压器，其输出电流可达3A。典型压差为1.3V（在3A时）。

文件类型: PDF 大小:947 KB

LM134-LM234-LM334三端可调电流源特点: 1V-40V工作电压;0.02%/V电流调节精度;可编程范围1uA-10mA;初始精度±3%

文件类型: PDF 大小:498 KB

该文档介绍了一系列N沟道600V MOSFET产品的特点和特性，包括极高的dv/dt能力、ESD改进能力、100%雪崩测试等。这些产品适用于低功率电池充电器、开关模式低功率电源和低功率CFL(紧凑型荧光灯)等应用。

文件类型: PDF 大小:763 KB

STTH5L06D/B/FP是ST公司生产的一款高压整流二极管，适用于不连续或关键模式功率因数校正的升压二极管，也可用作电源和其他功率开关应用中的自由轮转二极管。

文件类型: PDF 大小:100 KB

M48T512Y/V TIMEKEEPER RAM 是一款512Kb x 8的非易失性静态RAM和实时时钟，组织为524,288个字8位。特殊的DIP封装提供了一个完全集成的备用电池存储器和实时时钟解决方案。

文件类型: PDF 大小:105 KB