INFINEON说明书大全
INFINEON SPD08N50C3 说明书
SPD08N50C3是英飞凌公司推出的一种新型MOS功率晶体管，其特点是具有非常低的RDS(on)，非常低的门电荷，极端的dv/dt额定值，非常低的有效电容和改进的传导率。
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INFINEON BAR81... 说明书
BAR81是罗杰斯公司生产的一款射频开关二极管，它具有高开关信号隔离、低开关插入损耗的特点，被广泛应用于高性能射频开关中。
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INFINEON SPP12N50C3 SPI12N50C3, SPA12N50C3 说明书
该文件介绍了SPP12N50C3、SPI12N50C3和SPA12N50C3 Cool MOS™功率晶体管的特点。这些晶体管采用了新颖的高压技术，具有超低的栅极电荷、周期性雪崩能力和极端的dv/dt能力。此外，它们还具有超低的有效电容、改进的跨导和全隔离封装。该文件还列出了这些产品的型号、包装和订购代码，以及其最大额定值和热特性。
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INFINEON IPP90R340C3 说明书
IPP90R340C3 CoolMOS™ 功率晶体管具有最低的 RON x Qg 值和极端的 dv/dt 额定值，并且具有高峰值电流能力。它已根据 JEDEC1) 针对目标应用进行了认证，并符合 RoHS 标准。该器件采用无铅导电涂层，并具有全球最佳 R DS,on 和超低栅极电荷。CoolMOS™ 900V 适用于：准谐振反激/正向拓扑、PC 银盒和消费应用以及工业 SMPS。
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INFINEON BFG235 说明书
该文件介绍了2005-10-11 BFG235 1 NPN硅射频晶体管的特点和特性，适用于2 GHz以下的天线和通信系统中的低失真宽带输出放大器级别，集成了发射极阻焊电阻。
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INFINEON Wireless Components ASK/FSK 915MHz Single Conversion Receiver TDA 5212 Version 1.3 说明书
该文档是TDA 5212的规格书
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INFINEON IPA60R299CP 说明书
该文件介绍了IPA60R299CP CoolMOS®功率晶体管的特点和特性，包括最低的ON电阻和电荷乘积、超低的栅极电荷、极端的dv/dt耐受能力、高峰值电流能力等。
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INFINEON SPA15N65C3 CoolMOS Power Transistor 说明书
该文件介绍了SPA15N65C3 CoolMOSTM功率晶体管的特点特性，包括低门极电荷、极限dv/dt额定、高峰电流能力、符合JEDEC1)目标应用的合格认证以及无铅铅镀层;RoHS符合。
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INFINEON TDA5250 D2 ASK/FSK 868MHz Wireless Transceiver 说明书
该文件是关于TDA5250 D2 ASK/FSK 868MHz无线收发器的数据手册。介绍了该产品的特点和特性。
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INFINEON IPP50R299CP CoolMOS Power Transistor 说明书
该数据表提供了IPP50R299CP的参数信息，包括最大电压、最大电流、最小电流、最大功率、最大温度等。
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INFINEON BSP129 SIPMOS mall-Signal-Transistor 说明书
BSP129是一款N通道、耗尽模式、dv /dt额定小信号晶体管，可在线提供VGS(th)指示器。它符合RoHS，具有无铅焊锡。
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INFINEON SPD06N60C3 CoolMOS Power Transistor 说明书
该文件介绍了SPD06N60C3 CoolMOSTM功率晶体管的特点和特性，包括新的高压技术、超低栅电荷、周期性击穿额定、高峰值电流能力、超低等效电容、极端的dv/dt额定、改善的跨导值等。
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INFINEON SDT12S60 Silicon Carbide Schottky Diode 说明书
SDT12S60是世界上第一个600V肖特基二极管，采用革命性的半导体材料——碳化硅，具有卓越的开关特性，无反向恢复，无温度影响，无正向恢复
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INFINEON IKP15N60T 说明书
该文件介绍了IKP15N60T TrenchStop®系列的功率半导体器件，具有低损耗、快速恢复反并联EmCon HE二极管。产品具有很低的VCE(sat)值，最高结温175°C，短路承受时间为5微秒。适用于频率转换器和不间断电源等应用。采用TrenchStop®和Fieldstop技术，具有参数分布紧密、高韧性、温度稳定性好、开关速度快等特点。
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INFINEON BTS 4141N Smart High-Side Power Switch 说明书
BTS 4141N 是德国公司 Infineon 生产的一种高侧功率开关器件，具有短路保护、过流保护、过载保护、过压保护、欠压关断、开关电感负载、输出负压钳位、CMOS 兼容输入、热关断、ESD 保护、掉电、低待机电流、外部电阻反向电池保护等功能
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INFINEON BAS116... Silicon Low Leakage Diode 说明书
该文件介绍了BAS116硅低漏电二极管的特点和特性，适用于低漏电应用和中等速度的开关时间。它具有80V的反向电压和250mA的正向电流。另外，该二极管具有较低的反向电流和快速的反向恢复时间。
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INFINEON PROFET BTS 6133D Smart Highside Power Switch 说明书
该文件是关于PROFET® BTS 6133D 的数据表，产品具有反向电池保护、反向操作、短路保护、电流限制、过载保护、热关断、过压保护、失去接地保护、失去Vbb保护、低待机电流、快速退磁等功能。
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