东芝说明书大全

东芝 TPCS8205 数据手册

该文档介绍了TPCS8205型号的TOSHIBA场效应晶体管,适用于锂离子电池和便携设备应用。该型号具有小巧和薄型的封装,低漏源电阻,高前向传输电导,低泄漏电流和增强模式特性。

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东芝 TPCS8204 数据手册

该文档介绍了TPCS8204型号的TOSHIBA场效应晶体管,该晶体管适用于锂离子电池应用、笔记本电脑应用和便携设备应用。它具有小尺寸和薄封装、低漏源电阻、高正向传输导纳、低泄漏电流和增强型等特点。

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东芝 TPCS8203 数据手册

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TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS II) TPCS8201 数据手册

TPCS8201是东芝生产的一款N沟道MOS管,具有小型化、低阻抗、高增益等特点,可用于锂电池、便携设备等应用场景

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TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS IV) TPCS8104 数据手册

该文档介绍了TPCS8104型号的场效应晶体管的特点和应用领域,包括笔记本电脑和便携设备应用。该晶体管具有小尺寸、低电阻、高传递导纳和低漏电流等特点。

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TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS II) TPCS8102 数据手册

TPCS8102是东芝生产的一款场效应晶体管,其特点是小型化和低功耗。它适用于锂离子电池、便携式设备和笔记本电脑等应用。

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TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS II) TPCS8101 数据手册

TPCS8101是TOSHIBA推出的一款低功耗场效应晶体管,适用于笔记本电脑等便携设备应用。该管具有小封装、低漏电流、高导通电阻等特点。

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TOSHIBA Multi-Chip Transistor Silicon NPN Epitaxial Type, Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type TPCP8H01 数据手册

该文件介绍了TPCP8H01型号的产品特点特性,包括多芯片离散器件、内置NPN晶体管和N沟道MOS场效应晶体管等。该产品具有高直流电流增益、低集电极-发射极饱和电压和高速开关等特点。

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TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P, N Channel MOS Type (U-MOS IV / U-MOS III) TPCP8402 数据手册

TPCP8402是东芝公司生产的一款MOSFET器件,具有低漏电流、低开关电阻和高输入阻抗等特点。

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TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS III) TPCF8102 数据手册

该文档提供了TPCF8102的参数信息,包括额定电压、最大电流等

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TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P/N Channel MOS Type (P Channel U-MOSII/N Channel U-MOSII) TPC8403 数据手册

该文件介绍了TPC8403型号的TOSHIBA场效应晶体管的特点和特性,包括低电阻、高转导电导、低漏电流和增强模式等特点。适用于电动机驱动应用、笔记本电脑应用和便携设备应用。

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东芝 TPC8401 说明书

TPC8401 是东芝生产的一种MOS 管,具有低漏电流、高导通电阻和高增益等特点,适用于笔记本电脑等便携式设备的锂离子电池应用。

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TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N, P Channel MOS Type (π−MOSVI/U−MOSII) TPC8402 数据手册

TPC8402是东芝公司生产的一款N,P通道MOS类型的场效应晶体管,应用于锂离子二次电池、笔记本电脑和便携式设备等。其特点是低导通电阻、高传递增益和低漏电流。

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TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U−MOSII) TPC8303 数据手册

TPC8303是东芝生产的一款P通道MOSFET,具有低导通电阻、高输出阻抗和低漏电流等特点

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TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (L 2 −π−MOSVI) TPC8302 数据手册

TPC8302是东芝生产的一种P通道MOS型场效应晶体管,主要应用于锂离子电池、便携式设备和笔记本电脑等。特点是电压驱动为2.5V,占用面积小,导通电阻低,漏电流小,开关速度快。

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TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (L 2 −π−MOSVI) TPC8301 数据手册

TPC8301是Toshiba生产的一款P沟道MOS管,主要应用于锂离子电池、便携式设备、笔记本电脑等。该产品具有小尺寸、低RDS(ON)、高Yfs、低IDS等特点。

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东芝 TPC8211 说明书

TPC8211是东芝生产的一款N型MOS管,主要应用于锂电池、便携设备、笔记本电脑等领域。其主要特点是低导通电阻、高转移增益、低漏电流,是电源管理电路的理想选择。

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