东芝说明书大全
TOSHIBA Bi−CMOS INTEGRATED CIRCUIT SILICON MONOLITHIC TB62600FG 数据手册
TB62600FG是专为64位热打印头驱动器设计的集成电路，与Bi-CMOS（DMOS）集成电路配套使用。该器件包括64位移位寄存器、双64位锁存器和64个输出DMOS结构。
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TOSHIBA BiCMOS Linear Integrated Circuit Silicon Monolithic TB6066FNG 说明书
TB6066FNG是东芝公司生产的一款震动传感器芯片，该芯片工作电压范围为2.7至5.5伏，输出信号为低电平。该芯片具有较好的信噪比，可以用于机械控制系统，如伺服控制。
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东芝 CRY62~CRY47 说明书
CRY62~CRZ47是东芝生产的一款稳压二极管，平均功耗为0.7W，稳压电压为6.2~47V，适用于通信、自动化和测量设备的恒压调节和瞬态抑制器
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东芝 1SV322 说明书
1SV322 是东芝的一种TCXO/VCO二极管，具有高电容比（C1 V/C4 V = 4.3，典型值）和低串联电阻（rs = 0.4 欧姆，典型值），适用于小型调谐器。
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TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type 1SV323 数据手册
1SV323 是东芝生产的一款半导体二极管，该二极管具有高电容比和低串联电阻，适用于小型调谐器。
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TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type 1SV325 数据手册
1SV325 是 TOSHIBA 生产的一款硅基平面二极管，用于 TCXO/VCO 应用。该二极管具有高电容比（C1 V/C4 V = 4.3）和低串联电阻（rs = 0.4 Ω），适用于小尺寸调谐器。
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TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type 1SV328 数据手册
1SV328是东芝公司生产的一款电容二极管，其特点是具有高电容比和低串联电阻，适用于小型调谐器。
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TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type 1SV329 数据手册
1SV329是TOSHIBA公司生产的一款VCO，具有高电容比和低串联电阻的特点，适用于小型调谐器。
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TOSHIBA Variable Capacitance Diode Silicon Epitaxial Planar Type 1SV331 数据手册
1SV331是TOSHIBA生产的一种可变电容二极管，该产品具有小封装、高电容比、低串联电阻等特点，最大额定反向电压为10V，正向漏电流为100µA，额定工作温度为-55~125°C
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