Fairchild说明书大全

FQPF9N30是Fairchild生产的一款N通道增强型功率场效晶体管，该晶体管使用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、高开关性能和高能量脉冲承受能力，适用于高效率开关DC/DC转换器和开关电源。

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FQPF9N30是一种300V N沟道MOSFET，具有6.0A的额定电流和0.45欧姆的开关电阻，非常适合高效率的开关DC/DC转换器和开关模式电源。

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FQP9N25C/FQPF9N25C QFET ® N-Channel MOSFET是Fairchild生产的一种高性能功率场效应晶体管，具有低导通电阻、快速开关和高dv/dt能力等特点。该器件适用于高效率开关DC/DC转换器、开关电源、DC-AC逆变器和不间断电源等应用场合。

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FQP9N25C/FQPF9N25C是Fairchild生产的N-Channel增强型功率场效晶体管，具有低RDS(on)、低Crss、快速开关和100%的雪崩测试等特点，适用于高效率开关DC/DC转换器、开关电源、DC-AC转换器、不间断电源和电机控制等应用。

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QFET QFET QFET QFET是鼎好电子元器件有限公司的品牌，提供QFET QFET QFET QFET的现货库存、技术资料、百科信息、热点资讯等

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该文件提供了有关鼎好(QFET)产品的现货库存、技术资料、百科信息和热点资讯。这些产品具有高性能、可靠性强、多功能等特点。

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This is a PDF file about QFET. QFET is a kind of field effect transistor.

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该文件介绍了Fairchild FQPF9N08L型号的80V逻辑N沟道MOSFET产品的特点和特性。该产品具有低电源电阻、快速开关、低门电荷、低Crss和改进的dv/dt能力等特点。适用于低电压应用，如汽车、高效率DC/DC转换器和直流电机控制。

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该文件介绍了FQPF9N08型号的80V N沟道MOSFET产品的特点和特性，适用于低电压应用，如汽车、高效率DC/DC变换器和直流电机控制。

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FQPF9N08是Fairchild Semiconductor International生产的80V N型通道MOSFET，它使用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、高开关性能和高能脉冲承受能力。该设备适用于汽车、DC/DC转换器的高效率开关和DC电机控制等低压应用场合

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该数据手册介绍了FAIRCHILD FQPF90N08 80V N-Channel MOSFET的特点特性，包括工作电压、工作电流、开关速度、结温等。

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FQPF90N08 是 Fairchild Semiconductor 生产的一款 N 通道 MOSFET，其最大电压为 80V，最大电流为 44A。该器件具有低导通电阻、高开关速度、高浪涌能力等特点，适用于汽车、DC/DC 转换器和直流电机控制等低压应用场合。

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FQPF8P10是一款100V P通道MOSFET，具有低门极电荷（典型值为12nC）、低Crss（典型值为30pF）、快速开关、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力和175°C最大结温额定值。

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FQP8N90C/FQPF8N90C N-Channel MOSFET是Fairchild生产的，使用DMOS技术，特点是低导通电阻，快速开关，100% avalanche测试，改进了dv/dt能力。

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这份文件介绍了 FQP8N80C/FQPF8N80C 这款800V N-Channel MOSFET产品的特点和特性，包括低导通电阻、快速开关速度、高能脉冲承受能力等。

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FQPF8N60CF 600V N-Channel MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一种N沟道增强型功率场效应晶体管，具有低导通电阻、高开关速度、高可靠性等特点。该产品适用于高效开关电源、有源功率因数校正、基于半桥拓扑的电子灯泡镇流器等应用。

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FQP8N60C/FQPF8N60C是飞兆半导体公司生产的一种N沟道增强型功率场效应晶体管，采用飞兆半导体公司专有的平面条纹DMOS工艺。该工艺专为最小化开关导通电阻、提供卓越的开关性能以及承受雪崩和换流模式下高能脉冲而量身定制。该器件非常适用于高效率开关电源、有源功率因数校正、基于半桥拓扑的电子灯光镇流器等应用。

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