INFINEON说明书大全
INFINEON SPW32N50C3 说明书
该文档介绍了SPW32N50C3 Cool MOS™功率晶体管的特点和特性，包括新的高压技术、超低栅电荷、周期性雪崩额定、极限dv/dt额定、超低有效电容、改进的跨导等。
文件类型: PDF 大小:260 KB
INFINEON IKP20N60T 说明书
该数据表格主要介绍了IKP20N60T和IKW20N60T两个型号的IGBT的参数信息，包括额定电压、额定电流、漏极-发射极压缩电压、最大结温、标志、封装等
文件类型: PDF 大小:457 KB
INFINEON IPI50R140CP 说明书
该文档介绍了IPI50R140CP CoolMOS®功率晶体管的特点和特性，包括全球最佳的R DS,on，最低的R ON x Qg，超低的门电荷，极端的dv/dt额定值，高峰值电流能力等。
文件类型: PDF 大小:274 KB
INFINEON IPA60R250CP 说明书
IPA60R250CP是一款CoolMOS®电源晶体管，具有最低的RONxQg比，超低的门控电荷6.6，极端的dv/dt额定值，高峰电流能力，符合JEDEC1)目标应用的资格，无铅铅涂层，RoHS兼容。CoolMOS CP专为：• 硬开关SMPS拓扑而设计。
文件类型: PDF 大小:263 KB
INFINEON IPW90R1K0C3 说明书
IPW90R1K0C3 CoolMOS™ Power Transistor是一种低阻抗的功率晶体管，具有极低的Qg和极高的dv/dt额定值。
文件类型: PDF 大小:283 KB
INFINEON SPI20N60CFD 说明书 Page 1 SPI20N60
该数据表是SPI20N60CFD Cool MOS™ Power Transistor的参数表，包含了该产品的最大电压、电流、功耗等特性
文件类型: PDF 大小:361 KB
INFINEON - IKW75N60T 说明书
该文档介绍了IKW75N60T TrenchStop®系列q功率半导体产品的特点和特性，包括低损耗DuoPack设计、低VCE(sat)、最高结温175°C、短路耐受时间5µs、正温度系数的VCE(sat)、参数分布紧密、高耐用性、温度稳定性高、开关速度快、低电磁干扰、快速恢复反并联EmCon HE二极管等。
文件类型: PDF 大小:914 KB
INFINEON SPP20N60C3, SPB20N60C3 SPI20N60C3, SPA20N60C3说明书 Page 1 SPP20N60
这是一款新型高压技术的功率晶体管，具有极低的RDS（on），高峰值电流能力，改进的传导率，以及P-TO-220-3-31完全绝缘的封装（2500VAC，1分钟）
文件类型: PDF 大小:339 KB
INFINEON BSO350N03 说明书
BSO350N03 OptiMOS®2 Power-Transistor 是一款快速开关 MOSFET，适用于 SMPS，针对笔记本电脑 DC/DC 进行了优化，具有双 n 通道、逻辑电平、出色的门极电荷 x R DS(on) 积（FOM）、非常低的导通电阻 R DS(on)、雪崩额定、dv/dt 额定、无铅铅封装、RoHS 兼容等特点。
文件类型: PDF 大小:265 KB
INFINEON IPI60R520CP 说明书
IPI60R520CP CoolMOSTM Power Transistor是英飞凌公司的一款功率晶体管，该产品具有最低功率损耗、超低栅极电荷、极高的dv/dt额定值、高峰值电流能力和高可靠性等特点，适用于硬开关SMPS拓扑结构。
文件类型: PDF 大小:271 KB
INFINEON BSS139 说明书
BSS139是STMicroelectronics公司生产的一款N沟道MOSFET器件，其最大额定电压为250V，最大持续电流为0.1A，最大脉冲电流为0.4A，最小门限电压为-1.4V，最大漏源导通电阻为30Ω。
文件类型: PDF 大小:242 KB
INFINEON SPP20N65C3, SPA20N65C3 SPI20N65C3 说明书
该文件介绍了SPP20N65C3, SPA20N65C3和SPI20N65C3三种Cool MOS™功率晶体管的特点和特性，包括全球最佳的RDS(on)、超低的栅极电荷、周期性雪崩能力、极高的dv/dt能力、高峰值电流能力和改进的跨导。
文件类型: PDF 大小:287 KB
INFINEON SPW35N60C3 说明书
SPW35N60C3 CoolMOSTM功率晶体管具有新的高压技术、超低门电荷、周期性雪崩额定、极限dv/dt额定、超低有效电容、改进的跨导等特点。
文件类型: PDF 大小:720 KB
infineon BTS650P 数据手册
BTS650P是一款高侧高电流功率开关，具有以下特点：过载保护、电流限制、短路保护、过热保护、过电压保护（包括负载掉电保护）、负载输出钳位、快速断开感性负载、低电阻反向电流操作、开路负载检测、VBB丢失保护、静电放电保护。
文件类型: PDF 大小:237 KB
Infineon BTS 282 Z 数据手册
BTS 282 Z是一款具有逻辑电平输入和模拟驱动的速度传感器。它具有开关频率高达1MHz、过温保护、雪崩额定值和高电流固定功能。
文件类型: PDF 大小:271 KB
INFINEON BAS16... 说明书
BAS16系列是ON Semiconductor推出的一种硅开关二极管，该系列产品具有高开关速度特性，适用于高频开关应用场合。该系列产品采用SOT23、TSLP-2-1、SC79、SCD80、SOD323、TSLP-4-4、SOT363、SC74、SOT323等多种封装形式，可满足不同应用场合的需要。
文件类型: PDF 大小:243 KB
INFINEON BTS711L1 说明书
本文件是关于BTS711L1产品的详细介绍，主要介绍了其特点特性，包括过载保护、电流限制、短路保护、热关断、过压保护、快速退磁、反向电池保护、欠压和过压关断、开漏诊断输出、开路检测、CMOS兼容输入、掉电和掉电Vbb保护、静电放电（ESD）保护等
文件类型: PDF 大小:356 KB