电路板说明书

飞利浦 PBSS8110Z 数据手册

PBSS8110Z 100V, 1A NPN low VCEsat (BISS) 晶体管是一款低 VCEsat 晶体管，封装形式为 SOT223 (SC-73)，具有 SOT223 封装、低集电-发射器饱和电压 VCEsat、高集电电流能力 IC 和 ICM、高效率等特点，主要应用于汽车 42V 电源、电信基础设施、工业等领域，还可用于 DC-to-DC 转换器、外围驱动器、低电源电压应用（例如灯和 LED）以及感性负载驱动器（例如继电器、蜂鸣器和电机）。

飞利浦 PBSS5160DS 数据手册

PBSS5160DS是一款60V、1A PNP低VCEsat（BISS）晶体管，具有低集电极-发射极饱和电压VCEsat、高集电极电流能力、高集电极电流增益（hFE）和高效率等特点。

飞利浦 PBSS3515M 数据手册

PBSS3515M 是 Philips Semiconductors 生产的一款 15 V, 0.5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor

飞利浦 PBSS3515F 数据手册

PBSS3515F是一种15V低VCEsat PNP晶体管，具有低的集电极-发射极饱和电压和高电流能力。它适用于一般用途开关和静音，低频驱动电路，LCD背光，音频频率通用放大器应用以及电池驱动设备（手机，摄像机和手持设备）。

飞利浦 PBSS2540M 数据手册

PBSS2540M是一款40V，0.5A的低压失调NPN晶体管，具有低压失调、高电流能力和高效率等特点，适用于电源管理、外围驱动等应用

飞利浦 PBSS2540F 数据手册

该文件介绍了PBSS2540F型号的40V低VCEsat NPN晶体管的特点和特性，包括低饱和电压、高电流能力、平坦引线的改善热行为以及对SOT23通用晶体管的增强性能。应用领域包括一般用途开关和静音、低频驱动电路、音频频率通用放大器应用以及电池驱动设备（手机、摄像机、手持设备）。

飞利浦 PBSS2515YPN 数据手册

PBSS2515YPN是一种15V低VCEsat NPN/PNP晶体管。其特点包括低集电极-发射极饱和电压、高电流能力、可替代同一PCB区域上两个SC-70封装的低VCEsat晶体管、减少所需PCB区域和降低拾放成本。

飞利浦 PBSS2515VPN 数据手册

PBSS2515VPN是PHILIPS公司生产的一款低Vcesat的NPN/PNP双管，其特点是功耗小（300mW），封装小（1.6x1.2mm），可用于开关、驱动、背光、音频放大等场合。

飞利浦 PBSS2515M 数据手册

PBSS2515M是一款15V，0.5A的NPN低VCEsat（BISS）晶体管，具有低集电极-发射极饱和电压VCEsat，高集电流能力IC和ICM，高效率，降低热量产生，减少印刷电路板要求。适用于电源管理、边缘驱动等应用。

飞利浦 PBSS2515F 数据手册

该文件介绍了PBSS2515F型号的15V低VCEsat NPN晶体管的特点和应用领域。

飞利浦 PBSS2515VS 数据手册

PBSS2515VS是PHILIPS公司生产的一种低VCEsat NPN双晶体管，具有300mW的总功耗、1.6x1.2mm的超薄封装、优异的共平面性、低的集电极-发射极饱和电压、高的电流能力、改进的热性能和扁平的引线。

TOSHIBA Bi−CMOS INTEGRATED CIRCUIT SILICON MONOLITHIC TB62600FG 数据手册

TB62600FG是专为64位热打印头驱动器设计的集成电路，与Bi-CMOS（DMOS）集成电路配套使用。该器件包括64位移位寄存器、双64位锁存器和64个输出DMOS结构。

TOSHIBA BiCMOS Linear Integrated Circuit Silicon Monolithic TB6066FNG 说明书

TB6066FNG是东芝公司生产的一款震动传感器芯片，该芯片工作电压范围为2.7至5.5伏，输出信号为低电平。该芯片具有较好的信噪比，可以用于机械控制系统，如伺服控制。

Philips ISP1123 Universal Serial Bus compound hub Preliminary speciﬁcation

ISP1123是USB 1.1规格的复合USB集线器设备，内置串行接口引擎、集线器中继器、集线器控制器、USB数据收发器和3.3V电压调节器。

philips ISP1122 Universal Serial Bus stand-alone hub 产品手册

ISP1122是ISP公司的USB集线器，支持2至5个下游端口，具有低功耗，可通过总线、自供电或混合供电

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