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更新: 15 November, 2023
SVF7N65T/F/S N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。
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MD5: 50F96B99CC3F51FC5477A9D7CFC4FC7F
发布时间: 15 November, 2023
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