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更新: 29 October, 2023
SVS5N60F(D)(FJH)(FJ)D2 N 沟道增强型高压功率 MOSFET 采用士兰微电子超结 MOS 技术平台制造，具有很低的传导损耗和开关 损耗。使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。 此外，SVF5N60F(D)(FJH)(FJ)D2 应用广泛。如，适用于硬/软开 关拓扑。
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MD5: 4ED1C3FF150DE9E377275FA294E5383B
发布时间: 29 October, 2023
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