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L6571是一种高压半桥驱动器，具有内置振荡器的特点。该设备的振荡器频率可以使用外部电阻和电容器进行编程。内部电路使得该设备也可以由外部逻辑信号驱动。输出驱动器设计用于驱动外部n沟道功率MOSFET和IGBT。内部逻辑保证了死区时间以避免功率器件的交叉导通。有两个版本可用：L6571A和L6571B。它们的区别在于内部的死区时间：1.25μs和0.72μs（典型值）