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更新: 01 October, 2023
介绍了VISHAY的PWM优化功率MOSFET，这些MOSFET的特点是具有非常低的gate charge per unit of on-resistance和fast switching times，可减少gate drive和crossover losses，从而使dc-to-dc converters designers同时减少设计footprint和提高效率
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MD5: B580472F8822D80D6CAD5469122F9C06
发布时间: 09 August, 2012
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