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TURBOSWITCH “H”是一种超高性能二极管，由两个300V的晶片串联组成。TURBOSWITCH “H”系列在高dIF/dt运行时能大幅降低相关MOSFET的损耗。它特别适用于连续模式功率因数校正器和硬开关条件下的升压二极管，设计用于高DI/DT操作，具有与SIC器件竞争的超快恢复电流，可缩小MOSFET和散热器尺寸，内部陶瓷绝缘器件具有相同的热条件，绝缘（2500VRMS）允许与MOSFET放在同一散热器上，也可以在公共或分开的散热器上进行灵活散热，静态和动态平衡的内部二极管设计保证，封装电容：C=16pF