ST STGB3NB60SD 数据手册

更新: 28 September, 2023

STMicroelectronics设计了一系列先进的PowerMESH™ IGBT,采用基于专利条带布局的最新高压技术,具有出色的性能。STGB3NB60SD是其中一款IGBT,具有高输入阻抗、非常低的导通压降、高电流能力、集成的反向导流二极管等特点。适用于气体放电灯、静态继电器、电机控制等应用。


文件格式: PDF

体积: -

MD5: 2C1AECD951061FCBE51E1B944263A245

发布时间: 08 August, 2012

下载: -

连接: ST STGB3NB60SD 数据手册 PDF

Also Manuals