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更新: 28 September, 2023
该文件介绍了STP16NK65Z和STB16NK65Z-S两款N沟道650V MOSFET产品的特点和特性，包括低电阻、高dv/dt能力、100%雷电击穿测试、最小化栅极电荷、非常低的内在电容等。这些产品适用于高电流、高速开关和离线电源等应用。
文件格式: PDF
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MD5: 101224E5F1BB62AF627FA1A361EDE6A4
发布时间: 07 August, 2012
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连接: ST STP16NK65Z/STB16NK65Z-S 数据手册 PDF