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更新: 28 September, 2023
STP16N10L是一种N沟道功率MOS晶体管，具有100V的漏源电压，0.14Ω的典型导通电阻，16A的漏极电流，适用于高电流、高速开关、功率电机控制、DC-DC和DC-AC转换器、同步整流等应用。
文件格式: PDF
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MD5: 4052970469CE242306FDD5B889BD744C
发布时间: 07 August, 2012
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