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更新: 30 September, 2023
IS41LV16100A是由ISSI公司推出的一款高性能CMOS动态随机存取存储器(DRAM)，它采用EDO页模式，具有1,024个随机访问和20ns的访问周期时间，适用于高带宽图形、数字信号处理、高性能计算系统和外围应用。
文件格式: PDF
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MD5: 281996950A7977B2AB4F05C2BF405125
发布时间: 02 August, 2012
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连接: ISSI IS41LV16100A 数据手册 PDF