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更新: 29 September, 2023
ISSI IS41C4100和IS41LV4100是1,048,576 x 4位高性能CMOS动态随机存取存储器，具有加速周期访问EDO页模式。EDO页模式允许在单个行内进行512次随机访问，每个4位字的访问周期时间短至10ns。这些特点使IS41C4100和IS41LV4100非常适用于高带宽图形、数字信号处理、高性能计算系统和外围设备应用。
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MD5: 83974B8DE9BF9415ECAD2C55C75A04F6
发布时间: 02 August, 2012
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连接: ISSI IS41C4100 IS41LV4100 数据手册 PDF