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FQN1N60C是600V N通道MOSFET,具有0.3 A、600 V、RDS(on) = 11.5 Ω @ VGS = 10 V、低栅极电荷(典型值为4.8 nC)、低Crss(典型值为3.5 pF)、快速开关和100%雪崩测试等特点。