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更新: 29 September, 2023
该文档介绍了1998年3月发布的FDT459N N-Channel Enhancement Mode场效应晶体管的特点和绝对最大额定值。该晶体管采用了高密度单元的DMOS技术，具有极低的导通电阻和优越的开关性能。适用于低电压、低电流应用，如笔记本电脑电源管理、电池供电电路和直流电机控制。
文件格式: PDF
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MD5: 7480D620FC03D83A10DDA43248A10208
发布时间: 12 July, 2012
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连接: FAIRCHILD FDT459N N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 数据手册 PDF