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更新: 29 September, 2023
该文档介绍了一种具有高电压、高电流和低电阻特性的功率MOSFET产品。它具有高达1000V的漏极-源极击穿电压，最大34A的开态漏极电流和0.25Ω的漏极-源极开态电阻。该产品还具有低的零栅极电流和漏极电流，以及高的栅极-源极阈值电压。
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MD5: 764A1B45FA1C244573514BB054937FD5
发布时间: 11 July, 2012
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