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更新: 30 September, 2023
FDP55N06/FDPF55N06是Fairchild生产的N-Channel enhancement mode power field effect transistors，特点是55A, 60V, RDS(on) = 0.022 Ω @VGS = 10 V，低gate charge ( typical 30 nC)，低Crss ( typical 60 pF)，快速switching，100% avalanche tested，improved dv/dt capability。
文件格式: PDF
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MD5: E9DAA3A234A9485DF3413D8C5A0D840C
发布时间: 11 July, 2012
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连接: FAIRCHILD FDP55N06/FDPF55N06 说明书 PDF