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更新: 30 September, 2023
FDN358P是一款P型逻辑级MOSFET，使用Fairchild Semiconductor先进的Power Trench工艺制成，该工艺专门针对最小化开启状态电阻而设计，同时保持低栅极电荷，从而实现卓越的开关性能。这些器件非常适合便携式电子应用:负载开关和电源管理、电池充电电路和DC/DC转换。
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MD5: 7A20C6998D44BCDD8BFD826F8F097D96
发布时间: 11 July, 2012
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