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更新: 30 September, 2023
FDN359BN是Fairchild Semiconductor Corporation生产的N通道逻辑级MOSFET，该MOSFET使用了Fairchild Semiconductor的先进PowerTrench工艺，通过该工艺可以将导通电阻最小化，同时保持优异的开关性能。该器件适用于低电压和电池供电的应用场合，在这些应用场合中，需要低的线路功耗和快速切换。
文件格式: PDF
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MD5: 8DC06DEC4C542A14C512689B4BA2E462
发布时间: 11 July, 2012
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