MOTOROLA MMSF7N03Z 数据手册

更新: 29 September, 2023

该文件介绍了Motorola TMOS Power MOSFET Transistor的特点和特性。这些器件采用了Motorola的High Cell Density TMOS工艺，并包含单片的反向并联稳压二极管，提供了防静电击和突发电压的保护。这些微型表面贴装MOSFET具有超低的RDS(on)和真正的逻辑电平性能。它们能够承受雪崩和换向模式中的高能量，并且漏极-源极二极管具有非常低的反向恢复时间。EZFET器件设计用于低电压、高速开关应用，具有重要的功率效率。典型应用包括DC-DC转换器、便携式和电池供电产品的电源管理，如计算机、打印机、手机和无绳电话。它们还可用于磁存储产品（如磁盘驱动器和磁带驱动器）中的低压电机控制。

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发布时间: 11 July, 2012

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