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更新: 29 September, 2023
该文档介绍了FDG311N N-Channel MOSFET的特点和特性，使用了Fairchild Semiconductor的PowerTrench工艺，具有低开态电阻和低栅电荷，适用于便携式电子设备应用。
文件格式: PDF
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MD5: 7A89D32BE33B3ABE6217EC4A3C08CE50
发布时间: 11 July, 2012
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