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更新: 30 September, 2023
FDC6303N是双N沟道逻辑级增强型场效应晶体管，采用Fairchild专有的高单元密度DMOS技术制造，具有很低的导通电阻。该器件专为低压应用而设计，可替代负载开关应用中的数字晶体管。由于不需要偏置电阻，这种N沟道FET可以替代具有不同偏置电阻的多个数字晶体管。
文件格式: PDF
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MD5: 8E5C4ECB19F9BC0748F0A5F3CC6C9653
发布时间: 11 July, 2012
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