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更新: 30 September, 2023
FCP9N60N / FCPF9N60NT N-Channel MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation推出的一款高压超结MOSFET，采用深沟填充工艺，具有0.33Ω（典型值）@ VGS = 10V，ID = 4.5A的低RDS（on），低门极电荷（典型值Qg = 22nC），低有效输出电容，100％雪崩测试，符合RoHS标准
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MD5: B6CF1066EB876936826142A4E56647D3
发布时间: 11 July, 2012
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连接: FAIRCHILD FCP9N60N / FCPF9N60NT 说明书 PDF