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更新: 30 September, 2023
FCI7N60 600V N-Channel MOSFET 是一款由美国Fairchild公司研发的新型高压MOSFET，具有 650V@TJ = 150°C、典型RDS(on) = 0.53Ω、超低栅极电荷（典型Qg = 25nC）和低有效输出电容（典型Cosseff. = 60pF）等特点。
文件格式: PDF
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MD5: CF51010CA48300ED049D0CE989004B79
发布时间: 11 July, 2012
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