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更新: 01 October, 2023
FCP13N60N / FCPF13N60NT N-Channel MOSFET，采用深沟填充工艺，具有低RDS(on)、超低栅极电荷、低有效输出电容等特性，符合RoHS标准。
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MD5: A14BD94190878CB560B50F5EE9AD6E82
发布时间: 11 July, 2012
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连接: FAIRCHILD FCP13N60N / FCPF13N60NT 说明书 PDF