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更新: 30 September, 2023
FCP190N60 / FCPF190N60 N-Channel MOSFET 是一款由美国飞利浦半导体公司生产的 600V N 沟道 MOSFET 器件，其最大漏源电压为 600V，最大栅源电压为 ±20V。该器件的额定漏源电流为 20.2A，在 100°C 工作时最大漏源电流为 12.7A。该器件支持脉冲工作，最大脉冲漏源电流可达 60.6A。该器件还支持雪崩击穿，最大雪崩能量为 400mJ，最大雪崩电流为 4A。
文件格式: PDF
体积: -
MD5: 1D2C85C260A07940A5258B5F77ADFC59
发布时间: 11 July, 2012
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连接: FAIRCHILD FCP190N60 / FCPF190N60 说明书 PDF