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更新: 30 September, 2023
本文介绍了一种新的PSPICE子电路，该子电路可以对功率MOSFET进行全温度范围的建模。该子电路使用了经验方法，在-55oC至175oC的温度范围内，对MOSFET的导通和关断电阻、门极等效串联电阻、体二极管特性、击穿电压和电容等进行了建模，并进行了仿真验证。
文件格式: PDF
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MD5: 288B73940CEB5BC3CB9D5C1906C0C846
发布时间: 11 July, 2012
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